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IXTA380N036T4-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 480W(Tc) 15V 4V@ 250µA 260nC@ 10 V 1个N沟道 36V 1mΩ@ 100A,10V 380A 13.4nF@25V 贴片安装
供应商型号: ZT-IXTA380N036T4-7
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA380N036T4-7

IXTA380N036T4-7概述

    IXYS IXTA380N036T4-7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    产品简介


    IXYS IXTA380N036T4-7 是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TO-263 (7-lead)封装。这款MOSFET具备卓越的性能和可靠性,广泛应用于高电流开关应用、直流到直流转换器及离线不间断电源系统等领域。它具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 1.0mΩ)和高耐压(VDSS = 36V),能够处理大电流,同时具备雪崩击穿特性,确保其在严苛的工作环境中稳定运行。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDSS(漏源电压):36 V
    - VDGR(栅极对源极电压):36 V
    - VGSM(栅极对源极瞬态电压):±15 V
    - ID(连续漏极电流):380 A
    - ILMRMS(最大脉冲电流):160 A
    - IDM(最大脉冲电流):830 A
    - TA(环境温度):-55°C 至 +175°C
    - TJM(最大结温):175°C
    - Tstg(储存温度范围):-55°C 至 +175°C
    - TL(焊接最大引线温度):300°C
    - TSOLD(焊接后温度):260°C
    - FC(安装力):10.65 / 2.2...14.6 N/lb
    - 重量:3.0 g
    - 电气特性
    - BVDSS(漏源击穿电压):36 V
    - VGS(th)(栅极阈值电压):2.0 V 至 4.0 V
    - IGSS(栅极漏电电流):±200 nA
    - IDSS(漏源饱和电流):10 μA
    - RDS(on)(导通电阻):≤ 1.0 mΩ
    - GFS(跨导):105 S 到 175 S
    - Ciss(输入电容):13.4 nF
    - Coss(输出电容):2400 pF
    - Crss(反向传输电容):1650 pF
    - td(on)(开启延迟时间):36 ns
    - tr(上升时间):78 ns
    - td(off)(关闭延迟时间):125 ns
    - tf(下降时间):80 ns
    - Qg(on)(总栅极电荷):260 nC
    - Qgs(栅极电荷):60 nC
    - Qgd(栅漏电荷):92 nC
    - RthJC(热阻):0.31°C/W

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:TO-263 (7-lead) 封装,适合多种应用场合。
    - 高工作温度:能够在-55°C 至 +175°C 的温度范围内稳定运行。
    - 高电流处理能力:具备处理高达380 A 的连续漏极电流的能力。
    - 雪崩击穿特性:具备雪崩击穿特性,适用于高可靠性应用。
    - 低导通电阻:导通电阻低至 ≤ 1.0 mΩ,可有效降低功耗。
    - 易于安装:安装简便,节省空间,功率密度高。

    应用案例和使用建议


    - 直流到交流转换器:在高压直流到交流转换器的应用中,IXTA380N036T4-7 能够承受高电流和高温,确保系统的稳定运行。
    - 离线不间断电源:作为主侧开关,在离线不间断电源系统中提供高效的能量转换。
    - 高电流开关应用:适用于需要处理高电流的开关应用,如电机驱动和电源转换等。
    使用建议:
    - 确保电路设计中考虑散热措施,以避免过高的温度影响MOSFET的性能。
    - 使用外部电阻(例如5Ω)来控制开关速度,以防止过度应力。
    - 在高频开关应用中,注意寄生电容的影响,选择合适的栅极驱动器。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXTA380N036T4-7 与各种直流到交流转换器和离线不间断电源系统兼容,能够轻松集成到现有的电子系统中。
    - 支持:IXYS 提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的文档、培训和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的温度导致MOSFET性能下降。
    - 解决方案:确保电路设计中有有效的散热措施,例如增加散热片或采用主动冷却系统。

    - 问题2:栅极驱动信号不稳定。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保驱动信号的稳定性和足够的驱动能力。

    - 问题3:导通电阻过高。
    - 解决方案:检查温度是否超过MOSFET的最大工作温度范围,确保其在正常温度范围内工作。

    总结和推荐


    IXYS IXTA380N036T4-7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 是一款高性能、高可靠性的MOSFET,适用于高电流开关应用和电源转换系统。其低导通电阻、高工作温度范围和高电流处理能力使其在市场上具有显著的竞争优势。我们强烈推荐在需要高效能和高可靠性的应用场景中使用这款产品。

IXTA380N036T4-7参数

参数
Id-连续漏极电流 380A
Vds-漏源极击穿电压 36V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 13.4nF@25V
Vgs-栅源极电压 15V
通道数量 -
栅极电荷 260nC@ 10 V
最大功率耗散 480W(Tc)
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1mΩ@ 100A,10V
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA380N036T4-7厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA380N036T4-7数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA380N036T4-7 IXTA380N036T4-7数据手册

IXTA380N036T4-7封装设计

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