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IXFH56N30X3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 320W(Tc) 20V 4.5V@1.5mA 56nC@ 10 V 1个N沟道 300V 27mΩ@ 28A,10V 56A 3.75nF@25V TO-247 通孔安装
供应商型号: IXFH56N30X3
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH56N30X3

IXFH56N30X3概述


    产品简介


    IXFA56N30X3、IXFP56N30X3 和 IXTFH56N30X3 是由IXYS公司设计和生产的N沟道增强型功率MOSFET。这些器件具有高可靠性,适用于各种电力电子应用,如开关电源、直流转换器、PFC电路、交流和直流电机驱动器、机器人及伺服控制等领域。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最小值 | 最大值 |
    ||
    | 漏源电压 \( V{DSS} \) | 300 V | 300 V | 300 V |
    | 通态电阻 \( R{DS(on)} \)(VGS=10V,ID=0.5×ID25) | 27 mΩ | 21 mΩ | 27 mΩ |
    | 最大漏极电流 \( I{D25} \)(TC=25℃) | 56 A | 56 A | 56 A |
    | 最大雪崩能量 \( E{AS} \)(TC=25℃) | 700 mJ | - | - |
    | 最大耗散功率 \( PD \)(TC=25℃) | 320 W | - | - |
    | 阈值电压 \( V{GS(th)} \) | 2.5 V | - | 4.5 V |
    | 最大栅极对源极电压 \( V{GSS} \) | ±20 V | - | - |
    | 最大栅极对源极瞬时电压 \( V{GSM} \) | ±30 V | - | - |

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:确保了与其他标准产品的兼容性。
    - 低 \( R{DS(on)} \) 和 \( QG \):保证了更低的导通电阻和栅极电荷,有助于提高效率。
    - 雪崩额定值:提供了更高的可靠性。
    - 低封装电感:减少了寄生电感的影响。
    - 高功率密度:紧凑的设计节省空间。
    - 易于安装:简化了装配过程。
    - 节省空间:特别适合空间受限的应用。

    应用案例和使用建议


    这些功率MOSFET广泛应用于开关电源、直流转换器、PFC电路、电机驱动器以及机器人和伺服控制系统。在这些应用中,它们能够显著提升系统效率并减少热量产生。对于使用这些器件的设计,应注意:
    - 在高温环境下使用时,考虑增加散热措施以确保可靠运行。
    - 确保驱动电路的性能匹配,以防止过高的栅极电压或电流导致损坏。

    兼容性和支持


    这些器件采用国际标准封装(TO-263、TO-220、TO-247),与其他常用封装相兼容。IXYS公司提供详尽的技术支持文档和售后服务,确保用户在产品应用过程中得到及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极电荷过高
    - 解决方案:优化驱动电路,选择合适的外部栅极电阻 \( RG \)。
    2. 问题:过热损坏
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或风扇。
    3. 问题:击穿电压不达标
    - 解决方案:检查焊接温度是否超出允许范围,确认器件安装正确。

    总结和推荐


    综上所述,IXFA56N30X3、IXFP56N30X3 和 IXTFH56N30X3 具备优秀的性能参数和多种优势,特别是在开关电源、直流转换器和电机驱动系统中的表现尤为突出。因此,我们强烈推荐这些器件用于需要高性能、高效率和可靠性的电力电子应用中。

IXFH56N30X3参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 300V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.75nF@25V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@ 28A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1.5mA
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 56nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 56A
最大功率耗散 320W(Tc)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH56N30X3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH56N30X3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH56N30X3 IXFH56N30X3数据手册

IXFH56N30X3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ ¥ 53.927
600+ ¥ 52.0512
900+ ¥ 51.1134
库存: 780
起订量: 300 增量: 300
交货地:
最小起订量为:300
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