处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTB30N100L

IXTB30N100L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 800W(Tc) 30V 5V@ 250µA 545nC@ 20 V 1个N沟道 1KV 450mΩ@ 500mA,20V 30A 13.2nF@25V TO-247-3 通孔安装 20.29mm*5.31mm*26.59mm
供应商型号: ZT-IXTB30N100L
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTB30N100L

IXTB30N100L概述

    IXTB30N100L N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXTB30N100L 是一款由 IXYS 公司生产的 N-Channel 增强模式线性功率 MOSFET,具有卓越的性能和广泛的应用领域。它特别适用于需要高电压和大电流的应用场合,如编程负载、电流调节器、DC-DC 转换器、电池充电器、直流斩波器、温度控制和照明控制等。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):1000V(TJ = 25°C 至 150°C)
    - 栅源电压(VGSS)
    - 连续:±30V
    - 瞬态:±40V
    - 漏极电流(ID)
    - 25°C 时连续:30A
    - 脉冲:70A(25°C 时,脉冲宽度受限于 TJM)
    - 雪崩能量(EAS):2J(25°C 时)
    - 总功耗(PD):800W(25°C 时)
    - 结温(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 最大结温(TJM):150°C
    - 存储温度(Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 引脚耐热时间(TL):1.6mm(0.062 in)从外壳,在 10s 内可达 300°C
    - 端子耐热时间(TSOLD):塑料外壳,在 10s 内可达 260°C
    - 安装力(FC):30...120/6.7...27 N/lb.
    - 特征值
    - 栅极-源极电压(VGS(th)):3.0 至 5.5V(TJ = 25°C,除非另有说明)
    - 输入电容(Ciss):13.7nF
    - 输出电容(Coss):980pF
    - 反向传输电容(Crss):115pF
    - 导通电阻(RDS(on)):≤ 450mΩ(VGS = 20V,ID = 0.5 • IDSS,注释 1)

    3. 产品特点和优势


    IXTB30N100L 具有多项独特的功能和优势:
    - 设计用于线性操作:专为在高电流和高电压条件下稳定工作而设计。
    - 雪崩等级:具有卓越的雪崩能力,确保在极端条件下的可靠性。
    - 阻燃等级:模塑环氧树脂符合 UL94 V-0 阻燃分类标准。
    - 易于安装:结构紧凑,便于安装和布线。
    - 空间节约:小尺寸设计节省宝贵的空间。
    - 高功率密度:在有限的空间内提供较高的功率处理能力。

    4. 应用案例和使用建议


    - 编程负载:在工业自动化系统中,通过精确控制电流来模拟不同的负载情况。
    - 电流调节器:用于电源设备中,提供稳定的电流输出。
    - DC-DC 转换器:在通信设备和消费电子产品中广泛应用。
    - 电池充电器:在便携式设备中实现高效的充电管理。
    - 直流斩波器:在电机控制系统中实现速度和扭矩的精确控制。
    - 温度和照明控制:在智能家居系统中,作为控制元件实现智能控制。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,应注意散热设计,确保器件处于安全的工作温度范围内。
    - 使用适当的门极驱动电路,以避免因过高的栅极电压导致的损坏。
    - 对于高频应用,应考虑其电容特性,以避免不必要的寄生效应。

    5. 兼容性和支持


    IXTB30N100L 与其他标准电源设备和控制器具有良好的兼容性。制造商提供了详尽的技术支持文档和售后服务,包括在线技术支持、培训课程和故障排除指南。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何避免过高的栅极电压导致的损坏?
    - 解决方案:使用门极电阻进行保护,限制门极电压不超过 ±30V。
    - 问题 2:在高温环境中,器件的性能会下降吗?
    - 解决方案:确保有效的散热措施,使用散热片或冷却风扇来保持结温在安全范围内。
    - 问题 3:如何选择合适的门极驱动电路?
    - 解决方案:根据器件的输入电容和开关时间选择适当的驱动电路,以确保快速且稳定的开关过程。

    7. 总结和推荐


    IXTB30N100L 是一款高度可靠、性能优越的 N-Channel 增强模式线性功率 MOSFET,适合多种应用领域。它的高电压处理能力和卓越的雪崩能力使其成为工业应用中的理想选择。其紧凑的设计和高功率密度进一步增强了其在空间有限的环境中的适用性。我们强烈推荐在需要高性能和高可靠性的应用中使用 IXTB30N100L。

IXTB30N100L参数

参数
栅极电荷 545nC@ 20 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 13.2nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 1KV
通道数量 1
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 450mΩ@ 500mA,20V
Id-连续漏极电流 30A
最大功率耗散 800W(Tc)
Vgs-栅源极电压 30V
长*宽*高 20.29mm*5.31mm*26.59mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTB30N100L厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTB30N100L数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTB30N100L IXTB30N100L数据手册

IXTB30N100L封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 80.7714 ¥ 676.8644
库存: 0
起订量: 1 增量: 25
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336