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IXFK90N60X

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.1KW(Tc) 30V 4.5V@8mA 210nC@ 10 V 1个N沟道 600V 38mΩ@ 45A,10V 90A 8.5nF@25V TO-264AA 通孔安装
供应商型号: ZT-IXFK90N60X
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK90N60X

IXFK90N60X概述


    产品简介


    IXFK90N60X 和 IXFX90N60X 是 IXYS 公司生产的高性能 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。这些器件具有非常高的耐压能力(VDSS = 600V)和较大的漏极电流承载能力(ID25 = 90A),使其广泛应用于各种高功率电子设备中。这些 MOSFET 被设计用于开关电源和共振模式电源供应系统、直流-直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动、机器人和伺服控制系统等领域。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的技术参数列表:
    - 最大额定值
    - VDSS:600V(Junction Temperature 25°C 至 150°C)
    - VDGR:600V(Junction Temperature 25°C 至 150°C,RGS = 1MΩ)
    - VGSS 连续:±30V
    - VGSM 瞬态:±40V
    - ID25:90A(TC = 25°C)
    - IDM:200A(TC = 25°C,脉冲宽度受 TJM 限制)
    - IA:45A(TC = 25°C)
    - EAS:3J(TC = 25°C)
    - PD:1100W(TC = 25°C)
    - dv/dt:50V/ns(IS ≤ IDM,VDD ≤ VDSS,TJ ≤ 150°C)
    - TJ:-55 ... +150°C
    - TJM:150°C
    - Tstg:-55 ... +150°C
    - TL:300°C
    - TSOLD:塑料外壳 10 秒 260°C
    - Md:TO-264 安装扭矩 1.13/10 Nm/lb.in
    - FC:PLUS247 安装力 20..120 /4.5..27 N/lb
    - 重量:TO-264 10g,PLUS247 6g
    - 典型值
    - BVDSS:600V(VGS = 0V,ID = 3mA)
    - VGS(th):2.5 至 4.5V(VDS = VGS,ID = 8mA)
    - IGSS:±100nA(VGS = ±30V,VDS = 0V)
    - IDS:50μA(TJ = 125°C)
    - RDS(on):38mΩ(VGS = 10V,ID = 0.5 • ID25)

    产品特点和优势


    IXFK90N60X 和 IXFX90N60X 的主要特点和优势包括:
    - 低 RDS(on) 和 低 QG,这意味着更低的导通电阻和较低的栅极电荷,从而提高了效率并降低了功耗。
    - 雪崩额定值,增强了器件的可靠性。
    - 低封装电感,有助于减少寄生效应,提高高频操作的性能。
    - 高功率密度,使得在有限的空间内可以实现更高的功率处理能力。
    - 易于安装,减少了安装过程中的复杂度。
    - 节省空间,适合于紧凑型设计的应用。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 适用于多种应用场合,如开关电源和共振模式电源供应系统、直流-直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动、机器人和伺服控制系统。在使用时应注意以下几点:
    - 在高温环境下使用时要特别注意散热,避免过热导致损坏。
    - 脉冲电流使用时,应注意不超过器件的最大额定值,避免瞬态热击穿。
    - 在选择外围电路组件时,确保其能够适应 MOSFET 的高开关频率特性,以保证系统的稳定运行。

    兼容性和支持


    这些器件遵循国际标准封装,易于与其他标准电子元件兼容。IXYS 提供详细的安装指导和技术支持,确保用户能够在实际应用中顺利集成和使用这些器件。

    常见问题与解决方案


    - Q: 设备在高温下出现异常?
    - A: 检查散热措施是否足够。确保在设备运行过程中有足够的冷却,避免温度超过规定的最大工作温度。
    - Q: 器件在大电流脉冲下损坏?
    - A: 检查脉冲电流是否超过了器件的最大额定值。使用合适的外部电路来限制峰值电流。
    - Q: 开关频率不够稳定?
    - A: 确认外围电路的电容和电阻配置正确,确保符合器件的最佳操作条件。

    总结和推荐


    IXFK90N60X 和 IXFX90N60X 是高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷和良好的热特性。其高功率密度、易于安装和空间节省的特点使其成为许多高功率电子设备的理想选择。推荐在需要高效能、高可靠性的应用场景中使用这些器件。

IXFK90N60X参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@8mA
最大功率耗散 1.1KW(Tc)
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 38mΩ@ 45A,10V
Id-连续漏极电流 90A
Vds-漏源极击穿电压 600V
栅极电荷 210nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.5nF@25V
通用封装 TO-264AA
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFK90N60X厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK90N60X数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK90N60X IXFK90N60X数据手册

IXFK90N60X封装设计

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