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IXTH260N055T2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 480W(Tc) 20V 4V@ 250µA 140nC@ 10 V 1个N沟道 55V 3.3mΩ@ 50A,10V 260A 10.8nF@25V TO-247 通孔安装
供应商型号: ZT-IXTH260N055T2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH260N055T2

IXTH260N055T2概述

    TrenchT2 IXTH260N055T2 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    TrenchT2 IXTH260N055T2 是一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET,具有出色的电流处理能力和低导通电阻(RDS(on))。它主要应用于汽车电子、DC/DC 转换器和离线 UPS 等领域。此款 MOSFET 具备国际标准封装,能在高达 175°C 的工作温度下稳定运行。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - VDSS(漏源电压):55V
    - VDGR(漏栅电压):55V
    - VGSM(栅源瞬态电压):±20V
    - ID(连续漏极电流):260A
    - ILRMS(瞬时峰值电流):160A
    - IDM(脉冲电流):780A
    - EAS(雪崩能量):600mJ
    - PD(耗散功率):480W
    - TJ(结温):-55 ... +175°C
    - TJM(最大结温):175°C
    - Tstg(存储温度范围):-55 ... +175°C
    - 电气特性
    - BVDSS(击穿电压):55V
    - VGS(th)(阈值电压):2.0 ... 4.0V
    - RDS(on)(导通电阻):≤ 3.3mΩ(VGS = 10V, ID = 50A)
    - Ciss(输入电容):10.8nF
    - Coss(输出电容):1460pF
    - Crss(反向传输电容):215pF
    - 热特性
    - RthJC(结壳热阻):0.31°C/W
    - RthCH(壳体热阻):0.21°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 易安装:国际标准封装,安装便捷。
    - 节省空间:高集成度设计,适合空间受限的应用场合。
    - 高功率密度:卓越的电流处理能力,适用于高功率需求的应用。
    - 浪涌保护:具备雪崩耐受能力,可在极端条件下稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 汽车电子:适用于电动机驱动、12V电池系统和ABS系统。
    - 电源管理:用于DC/DC转换器和离线UPS系统。
    - 开关应用:作为初级侧开关,用于高电流开关应用。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热措施,以避免结温过高导致损坏。
    - 使用时应结合具体应用场景选择合适的驱动电阻,确保开关时间符合要求。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 采用 TO-247 封装,可广泛兼容现有的电路板设计和设备。
    - 技术支持:IXYS 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决应用过程中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:安装时如何防止静电损坏?
    - 解决方案:在安装前务必进行充分的静电防护,使用防静电手套和工具。

    - 问题2:在高温环境下工作时出现过热现象?
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或风扇,确保良好的热传导。

    7. 总结和推荐


    综上所述,TrenchT2 IXTH260N055T2 MOSFET 具有优秀的电气特性和高可靠性,尤其适用于高电流和高温环境下的应用。其易于安装、高功率密度和低导通电阻的特点使其成为众多领域的理想选择。强烈推荐在相关应用中使用此款产品。

IXTH260N055T2参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3.3mΩ@ 50A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10.8nF@25V
最大功率耗散 480W(Tc)
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
栅极电荷 140nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 260A
Vds-漏源极击穿电压 55V
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH260N055T2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH260N055T2数据手册

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IXTH260N055T2封装设计

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