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IXFH96N15P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET, Polar系列, Vds=150 V, 96 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: ZT-IXFH96N15P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH96N15P

IXFH96N15P概述

    # IXYS PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXYS PolarHTTM HiPerFET 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET。这种类型的MOSFET具有高击穿电压(VDSS)和大电流承载能力,适用于广泛的工业和消费电子产品。该产品具有国际标准封装,易于驱动和保护,并且具备低封装电感的特点。IXYS PolarHTTM HiPerFET 主要应用于电机控制、电源转换器、电池管理系统以及其他需要高效电力转换的应用领域。

    技术参数


    以下是IXYS PolarHTTM HiPerFET的技术规格和性能参数:
    - 击穿电压(VDSS):150 V
    - 门极源极电压(VGS):连续值为±20 V,瞬态值为±30 V
    - 持续漏极电流(ID25):在25°C时可达96 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):在25°C时可达250 A
    - 最大耗散功率(PD):在25°C时可达480 W
    - 工作温度范围(TJ):-55°C至+175°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C至+150°C
    其他电气特性包括最大重复雪崩电流(IS)为96 A,反向恢复时间(trr)为200 ns等。

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:便于集成和使用。
    - 无钳位感应开关(UIS):可靠的安全操作区域。
    - 低封装电感:易于驱动和保护。
    - 易安装:方便快速装配。
    - 节省空间:高功率密度设计。
    - 可靠性高:适应各种极端环境条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IXYS PolarHTTM HiPerFET 在多个工业应用中得到了广泛应用,如电动机驱动系统、电动汽车充电器、光伏逆变器和各类电源管理装置。
    使用建议
    在设计电路时,应确保电路能够承受器件的最大额定值,特别是在高电压和大电流应用中。为了获得最佳性能,建议在选择外部栅极电阻时考虑合适的阻值,以避免振荡现象的发生。同时,注意热管理以确保长期可靠运行。

    兼容性和支持


    该产品与标准接口兼容,适用于大多数电源管理系统。IXYS公司提供了详尽的技术支持文档,并保证产品质量。此外,用户还可以访问IXYS的官方网站获取更多技术支持信息和软件工具。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET过热
    - 解决方案:检查散热片是否足够大且正确安装。使用适当的热界面材料来提高热传导效率。
    2. 问题:开关损耗高
    - 解决方案:优化电路布局,减小寄生电感和电容的影响。考虑使用更快的驱动电路来减少开关时间。
    3. 问题:器件损坏
    - 解决方案:确认所有连接正确无误,避免瞬态过电压。使用外部保护电路,例如瞬态电压抑制二极管(TVS)来保护器件免受浪涌冲击。

    总结和推荐


    总体而言,IXYS PolarHTTM HiPerFET 是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET。其在高电压和大电流应用中表现出色,适合各种工业和消费电子领域。对于需要高效电力转换的应用,强烈推荐使用该产品。尽管价格可能较高,但其卓越的性能和长寿命使其成为性价比极高的选择。

IXFH96N15P参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 480W(Tc)
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 500mA,10V
通道数量 1
栅极电荷 110nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.5nF@25V
Id-连续漏极电流 96A
Vds-漏源极击穿电压 150V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@4mA
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,管装

IXFH96N15P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH96N15P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH96N15P IXFH96N15P数据手册

IXFH96N15P封装设计

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