处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTH26P20P

IXTH26P20P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@ 250µA 56nC@ 10 V 1个P沟道 200V 170mΩ@ 13A,10V 26A 2.74nF@25V TO-247 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: IXTH26P20P-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH26P20P

IXTH26P20P概述

    # IXTA26P20P/IXTP26P20P/IXTQ26P20P/IXTH26P20P Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXTA26P20P、IXTP26P20P、IXTQ26P20P 和 IXTH26P20P 是由 IXYS 公司生产的高性能 P 沟道增强型场效应晶体管(Power MOSFET)。这些器件专为高效率、高速开关应用设计,具有低导通电阻(Rds(on) ≤ 170mΩ)和快速响应能力,适用于多种工业和消费类电子产品。
    主要功能:
    - 极高的电压耐受能力:最大漏源击穿电压 VDSS = -200V
    - 大电流处理能力:最大连续漏极电流 ID25 = -26A
    - 低栅极电荷 Qg(on) = 56nC
    - 动态 dv/dt 额定值:10V/ns
    - 快速反向恢复时间 trr = 240ns
    应用领域:
    - 高边开关电路
    - 推挽式放大器
    - 直流斩波器
    - 电流调节器
    - 自动测试设备

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 漏源击穿电压 VDSS | - | -200V | - |
    | 栅源击穿电压 VGSS | ±20V | ±20V | ±30V |
    | 连续漏极电流 ID25 | - | -26A | - |
    | 脉冲峰值漏极电流 IDM | - | -70A | - |
    | 导通电阻 RDS(on) | - | 170mΩ | - |
    | 热阻 RthJC | - | 0.5°C/W | - |
    | 工作温度范围 TJ | -55°C | 25°C | 175°C |
    | 储存温度范围 Tstg | -55°C 175°C |

    3. 产品特点和优势


    - 国际标准封装:提供 TO-247、TO-220、TO-3P 和 TO-263 四种封装形式,满足不同应用需求。
    - 快速内在二极管:具备出色的动态特性和快速恢复特性。
    - 坚固耐用的设计:采用 IXYS 独特的 PolarPTM 工艺技术,提高了器件的可靠性和鲁棒性。
    - 低栅极电荷和低导通电阻:有助于减少功耗并提升能效。
    - 低寄生效应:简化了驱动电路设计,并降低了电磁干扰。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在汽车电子系统中作为高边开关使用。
    - 用于通信电源模块内的直流斩波器。
    - 作为工业控制设备中的电流调节器组件。
    使用建议:
    为了确保最佳性能,请遵循以下几点:
    - 正确选择合适的封装类型以适应具体应用场景。
    - 注意散热管理,特别是在高频开关条件下。
    - 适当增加旁路电容器来稳定供电电压。
    - 确保良好的接地连接以减少噪声影响。

    5. 兼容性和支持


    这些 MOSFET 器件与大多数主流的控制器芯片完全兼容。此外,IXYS 提供全面的技术支持服务,包括但不限于产品咨询、样品申请和技术文档下载等。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常发热现象 | 增加外部散热片;优化 PCB 布局 |
    | 输出信号不稳定 | 检查输入信号质量;调整门极电阻值 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,IXTA26P20P/IXTP26P20P/IXTQ26P20P/IXTH26P20P 系列产品凭借其卓越的技术指标和广泛的应用前景,在当前市场上占据了一席之地。对于需要高性能、高效率解决方案的设计者来说,这无疑是一个值得考虑的选择。因此,我们强烈推荐此款产品用于各种严苛的工作环境中。

IXTH26P20P参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 170mΩ@ 13A,10V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 26A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.74nF@25V
配置 独立式
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 56nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 200V
最大功率耗散 300W(Tc)
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH26P20P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH26P20P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH26P20P IXTH26P20P数据手册

IXTH26P20P封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 7.2384 ¥ 60.5764
30+ $ 4.4443 ¥ 37.1929
120+ $ 3.7892 ¥ 31.7112
510+ $ 3.4284 ¥ 28.6912
库存: 187
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 60.57
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336