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IXTQ10P50P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个P沟道 500V 1Ω@ 5A,10V 10A 2.84nF@25V TO-3P 通孔安装 15.8mm(长度)*4.9mm(宽度)
供应商型号: IXTQ10P50P-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTQ10P50P

IXTQ10P50P概述

    IXTA10P50P / IXTP10P50P / IXTQ10P50P / IXTH10P50P 电子元器件技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:
    IXTA10P50P / IXTP10P50P / IXTQ10P50P / IXTH10P50P 是由IXYS公司生产的高性能P沟道增强型场效应晶体管(Power MOSFET),具有强大的雪崩耐受能力。
    主要功能:
    这些场效应晶体管的主要功能包括低导通电阻、高电流容量和快速开关速度,适用于多种电力转换和控制应用。
    应用领域:
    - 高边开关
    - 推挽放大器
    - 直流斩波器
    - 自动测试设备
    - 电流调节器

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 最大漏源电压 (VDSS) | -500 V |
    | 最大栅源电压 (VGSS) | ±20 V |
    | 连续漏极电流 (ID) 10 A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) 30 | A |
    | 栅极泄露电流 (IGSS) 100 nA |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 1 Ω |
    | 输出电容 (Coss) | 275 pF |
    | 反向恢复时间 (trr) | 414 ns |

    3. 产品特点和优势


    特点:
    - 国际标准封装
    - 雪崩耐受能力
    - 强韧的PolarPTM工艺
    - 低封装电感
    - 快速体二极管
    优势:
    - 安装简便
    - 空间节省
    - 高功率密度

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    这些场效应晶体管常用于高频逆变器、直流电机驱动和电力变换器。例如,在自动测试设备中,这些器件能实现高精度的电流调节和可靠的开关操作。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,确保良好的散热管理以防止过热。
    - 使用合适的栅极电阻以避免过度的dv/dt应力。

    5. 兼容性和支持


    这些场效应晶体管提供了多种封装选择,如TO-263、TO-220、TO-3P和TO-247,这使得它们可以轻松地与不同类型的电路板和系统集成。IXYS公司还提供了详细的技术支持文档和应用指南,帮助用户更好地理解和利用这些器件。

    6. 常见问题与解决方案


    问题:
    - 过热导致器件失效
    - 开关损耗过高
    解决方案:
    - 确保适当的散热措施,如使用散热片或冷却风扇。
    - 优化电路设计以减少开关损耗,例如通过调整栅极电阻。

    7. 总结和推荐


    总结:
    IXTA10P50P / IXTP10P50P / IXTQ10P50P / IXTH10P50P 系列P沟道增强型场效应晶体管以其高可靠性、优异的电气特性和广泛的应用范围脱颖而出。特别适合于需要高效率和紧凑设计的电力转换和控制应用。
    推荐:
    强烈推荐这些场效应晶体管用于需要高功率密度和可靠性的应用场景。此外,由于其广泛的应用兼容性,这些器件是许多电源管理和控制系统的理想选择。

IXTQ10P50P参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.84nF@25V
最大功率耗散 300W(Tc)
栅极电荷 50nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 10A
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 500V
配置 独立式
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω@ 5A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 15.8mm(长度)*4.9mm(宽度)
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTQ10P50P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTQ10P50P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTQ10P50P IXTQ10P50P数据手册

IXTQ10P50P封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 7.5608 ¥ 62.6601
30+ $ 6.0323 ¥ 49.993
120+ $ 5.3973 ¥ 44.7298
510+ $ 4.7622 ¥ 39.4671
1020+ $ 4.286 ¥ 35.5205
2010+ $ 4.0162 ¥ 33.284
库存: 234
起订量: 1 增量: 0
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