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IXFT150N30X3HV

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 890W(Tc) 20V 4.5V@4mA 254nC@ 10 V 1个N沟道 300V 8.3mΩ@ 75A,10V 150A 13.1nF@25V TO-268HV 贴片安装
供应商型号: ZT-IXFT150N30X3HV
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFT150N30X3HV

IXFT150N30X3HV概述

    # IXFT150N30X3HV 电子元器件技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IXFT150N30X3HV是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),由IXYS公司生产。该型号系列包括IXFT150N30X3HV、IXFH150N30X3和IXFK150N30X3,广泛应用于电源转换、电机驱动、机器人控制等领域。该系列MOSFET具备高电压耐受能力、低导通电阻及快速开关特性,是现代电力电子系统中不可或缺的关键元件。
    主要功能
    - 高压耐受:额定电压高达300V。
    - 低导通电阻:典型值为8.3mΩ,极大提高了能效。
    - 快速开关:具有出色的开关特性,可显著减少开关损耗。
    应用领域
    - 开关电源和共振模式电源
    - 直流-直流转换器
    - 功率因数校正电路(PFC)
    - 交流和直流电机驱动
    - 机器人和伺服控制

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | BVDSS(击穿电压) | 300V | 300V | 300V |
    | VGS(th)(阈值电压) | 2.5V | 4.5V | 4.5V |
    | RDS(on)(导通电阻) | 6.6mΩ | 8.3mΩ | 8.3mΩ |
    | ID25(电流) | 150A | 150A | 150A |
    | PD(功耗) | 890W | 890W | 890W |
    电气特性
    - 脉冲测试,t≤300μs,占空比d≤2%
    - 冷却温度范围:-55°C到+150°C
    - 最大连续栅极电压:±20V
    - 极限栅极脉冲电压:±30V
    - 集电极耗散功率:890W
    - 静态输出特性测试条件:TJ=25°C
    工作环境
    - 存储温度范围:-55°C到+150°C
    - 引脚最大焊接温度:300°C
    - 引脚焊接时间:10s,260°C时距离外壳1.6mm
    - 安装扭矩:TO-247和TO-264型号为1.13/10Nm/lb.in

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - 国际标准封装:提供标准封装选项,易于集成。
    - 低RDS(on)和QG:提供较低的导通电阻和栅极电荷,提高能效。
    - 雪崩额定值:承受更高的雪崩电压。
    - 低封装电感:有助于提高电路的整体性能。
    - 高功率密度:可在有限空间内实现高性能。
    - 易于安装:简化安装过程,减少错误率。
    - 节省空间:紧凑设计适合空间受限的应用。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    - 在开关电源和共振模式电源中作为主控开关。
    - 在DC-DC转换器中用作高效率的功率开关。
    - 在PFC电路中提高功率因数。
    - 适用于工业自动化领域的电机驱动和伺服控制系统。
    使用建议
    - 为确保最佳性能,在高温环境下使用时请密切关注散热措施。
    - 确保正确的驱动信号和栅极电阻以避免不必要的功率损耗。
    - 对于高压应用,请严格按照技术规范操作。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该MOSFET与多种控制器和驱动电路兼容,但需根据具体应用选择合适的驱动电路。
    支持
    - IXYS公司提供了详尽的技术文档和应用指南,帮助用户快速上手和调试。
    - 提供技术支持和售后服务,解答用户的疑问并提供必要的维护服务。

    常见问题与解决方案


    问题与解决方案
    1. 问题:在高温环境下使用时性能下降。
    - 解决方案:增加散热装置,例如使用散热片或散热风扇。
    2. 问题:导通电阻RDS(on)增大。
    - 解决方案:检查焊接是否良好,确保焊点无氧化且连接可靠。
    3. 问题:器件损坏。
    - 解决方案:确保符合规定的驱动电压和电流,避免过压或过流。

    总结和推荐


    综合评估
    IXFT150N30X3HV具备出色的电气性能和独特的功能设计,使其成为高压电力电子系统中的理想选择。低导通电阻和高功率密度使其在高效率应用中表现出色。易于安装和兼容性强的特点使其在各类应用中都能展现出色的表现。
    推荐使用
    强烈推荐在需要高效率、高压和高可靠性电力转换应用中使用IXFT150N30X3HV。该器件在开关电源、电机驱动、机器人控制等场合均表现出优异的性能,是一款值得信赖的优质产品。

IXFT150N30X3HV参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 13.1nF@25V
最大功率耗散 890W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 150A
Vds-漏源极击穿电压 300V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8.3mΩ@ 75A,10V
栅极电荷 254nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@4mA
通用封装 TO-268HV
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFT150N30X3HV厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFT150N30X3HV数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV数据手册

IXFT150N30X3HV封装设计

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