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IXTH20P50P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 460W(Tc) 20V 4V@ 250µA 103nC@ 10 V 1个P沟道 500V 450mΩ@ 10A,10V 20A 5.12nF@25V TO-247 通孔安装
供应商型号: ZT-IXTH20P50P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH20P50P

IXTH20P50P概述

    # IXYS IXTT20P50P 和 IXTH20P50P 产品技术手册

    产品简介


    IXYS公司的IXTT20P50P 和 IXTH20P50P是高性能的P沟道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET),具有-500V的击穿电压。这些MOSFET广泛应用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备和电流调节器等领域。本手册提供了详尽的技术参数和规格说明,以帮助工程师在设计时充分利用该器件的特点。

    技术参数


    以下是IXYS IXTT20P50P 和 IXTH20P50P 的主要技术参数:
    | 参数 | 最大值 | 测试条件 |
    |
    | VDSS | -500 V | TJ = 25°C to 150°C |
    | VDGR | -500 V | TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ |
    | VGSS | ±20 V | 持续 |
    | VGSM | ±30 V | 瞬态 |
    | ID25 | -20 A | TC = 25°C |
    | IDMax | -60 A | TC = 25°C,脉冲宽度受限于TJM |
    | IA | -20 A | TC = 25°C |
    | EAS | 2.5 J | TC = 25°C |
    | dv/dt | 10 V/ns | IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C |
    | PD | 460 W | TC = 25°C |
    | TJ | -55...+150°C
    | TJM | 150°C
    | Tstg | -55...+150°C
    | TL | 300 °C | 最大引线温度 |
    | TSOLD | 260 °C | 1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s |

    产品特点和优势


    特点
    - 国际标准封装
    - 额定雪崩电流
    - 坚固的PolarPTM工艺
    - 低封装电感
    - 快速本征二极管
    优势
    - 安装方便
    - 节省空间
    - 高功率密度

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高侧开关:例如用于电机驱动器的高侧驱动
    - 推挽放大器:适用于音频功放或DC-DC转换器
    - 直流斩波器:适用于电机调速控制
    - 自动测试设备:可作为开关元件进行信号处理
    - 电流调节器:可用于需要精密电流调节的应用场合
    使用建议
    1. 高侧开关:当应用于高侧开关时,确保栅极驱动电路有足够的电压来驱动MOSFET。使用适当的栅极电阻可以防止寄生振荡。
    2. 推挽放大器:在设计推挽放大器时,确保两个MOSFET的驱动信号互补且相位准确。避免驱动信号重叠导致的瞬态损耗。
    3. 电流调节器:对于电流调节器,可以通过调整栅极电压来控制漏极电流。需要注意的是,在某些极端条件下(如高温),需要适当降低栅极电压以避免MOSFET过热。

    兼容性和支持


    IXYS提供全面的技术支持,包括产品文档、应用指南和故障排除手册。该产品与多种标准封装兼容,适用于不同的电路板布局需求。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何选择合适的栅极电阻?
    解决方案:为了保证稳定的开关性能,通常选用2-10欧姆的栅极电阻。过大的栅极电阻会增加开关时间,而过小的电阻则可能导致寄生振荡。
    问题2:为什么需要外部栅极电阻?
    解决方案:外部栅极电阻可以有效地限制栅极电流,避免因瞬间大电流导致的栅极损坏。同时,它还有助于减缓开关速度,减少EMI干扰。

    总结和推荐


    IXYS的IXTT20P50P 和 IXTH20P50P 是一款非常实用且可靠的P沟道MOSFET,具备高击穿电压和良好的电气特性。它们特别适合用于高功率密度和快速响应的应用场景。通过上述详细的技术参数和应用示例,我们可以看出该产品不仅拥有强大的功能,还能有效提升整体系统性能。总体而言,强烈推荐使用IXYS的这款产品。

IXTH20P50P参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.12nF@25V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
最大功率耗散 460W(Tc)
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 500V
栅极电荷 103nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 450mΩ@ 10A,10V
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH20P50P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH20P50P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH20P50P IXTH20P50P数据手册

IXTH20P50P封装设计

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