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IXFP130N15X3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 390W(Tc) 20V 4.5V@1.5mA 80nC@ 10 V 1个N沟道 150V 9mΩ@ 65A,10V 130A 5.23nF@25V TO-220-3 通孔安装
供应商型号: ZT-IXFP130N15X3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFP130N15X3

IXFP130N15X3概述

    # IXFP130N15X3 和 IXFH130N15X3 电子元器件技术手册

    产品简介


    产品概述
    IXFP130N15X3 和 IXFH130N15X3 是由 IXYS Corporation 生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。这些 MOSFET 集成了高效的设计,能够在各种严苛的应用环境中提供卓越的性能。主要应用于开关电源(Switch-Mode 和 Resonant-Mode)、DC-DC 转换器、功率因数校正电路(PFC Circuits)以及交流和直流电机驱动等领域。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(on)):≤ 9.0mΩ
    - 高雪崩耐受能力
    - 低封装电感
    - X3 级 HiPerFET 技术
    应用领域
    - 开关电源和共振模式电源
    - 直流到直流转换器
    - 功率因数校正电路
    - 交流和直流电机驱动
    - 机器人和伺服控制系统

    技术参数


    电气特性
    - 最大击穿电压(BVDSS):150V
    - 门限电压(VGS(th)):2.5V 至 4.5V
    - 最大漏极连续电流(ID25):130A
    - 导通电阻(RDS(on)):≤ 9.0mΩ(典型值)
    最大额定值
    - 栅极-源极电压(VGSS):±20V
    - 漏极-源极电压(VDSS):150V
    - 最大栅极脉冲电压(VGSM):±30V
    - 最大峰值电流(IDM):230A
    - 最大结温(TJ):150°C
    工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 到 150°C
    - 存储温度范围:-55°C 到 150°C

    产品特点和优势


    特点
    - 符合国际标准封装
    - 低 RDS(on) 和 QG
    - 雪崩耐受
    - 低封装电感
    优势
    - 高功率密度
    - 安装简便
    - 节省空间

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:IXFP130N15X3 和 IXFH130N15X3 在高频开关电源中的表现尤为出色,能够有效降低开关损耗。
    - 电机驱动:在电机驱动系统中,这些 MOSFET 可以实现高效、快速的电流控制。
    使用建议
    - 确保散热片设计良好,以便有效散出热量。
    - 使用合适的栅极驱动器,以确保快速的开关速度和减少开关损耗。
    - 在高功率应用中,考虑使用并联器件以进一步提高电流容量。

    兼容性和支持


    兼容性
    IXFP130N15X3 和 IXFH130N15X3 与多种电源拓扑结构兼容,如全桥和半桥拓扑。
    厂商支持
    IXYS Corporation 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、设计支持和技术培训。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    - 高温下工作时,电流容量会降低吗?
    - 会。根据温度特性曲线,在高温条件下电流容量会有所下降。需要选择适当的散热措施来保持器件在安全工作范围内。

    - 如何正确测量 RDS(on)?
    - 应在规定的测试条件下进行测量,如在 10V 栅极电压和半额定电流条件下。

    总结和推荐


    综合评估
    IXFP130N15X3 和 IXFH130N15X3 MOSFET 具有低导通电阻、高功率密度和易安装的特点。它们特别适用于高功率密度应用场合,如开关电源和电机驱动系统。通过良好的散热管理和适当的栅极驱动设计,可以充分发挥其性能优势。
    推荐使用
    对于需要高效率、高功率密度和可靠性的应用,强烈推荐使用 IXFP130N15X3 和 IXFH130N15X3 MOSFET。这些器件不仅提供了出色的电气性能,而且具有优秀的热稳定性和耐用性。

IXFP130N15X3参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.23nF@25V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1.5mA
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 65A,10V
栅极电荷 80nC@ 10 V
最大功率耗散 390W(Tc)
Id-连续漏极电流 130A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFP130N15X3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFP130N15X3数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFP130N15X3 IXFP130N15X3数据手册

IXFP130N15X3封装设计

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