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IXFR230N20T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 600W(Tc) 20V 5V@8mA 378nC@ 10 V 1个N沟道 200V 8mΩ@ 60A,10V 156A 28nF@25V TO-247-3 通孔安装
供应商型号: ZT-IXFR230N20T
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFR230N20T

IXFR230N20T概述

    IXFR230N20T GigaMOSTM Power MOSFET

    产品简介


    IXFR230N20T 是由IXYS公司生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件集成了快速反向恢复二极管,具有卓越的电气隔离性能,并能在恶劣的工作环境中稳定运行。IXFR230N20T 主要用于同步整流、直流转换器、电池充电器及各类电源系统中,尤其适用于高速功率开关的应用场景。

    技术参数


    | 参数名称 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDSS(漏源电压) | 200 | V |
    | VDGR(栅源电压) | 200 | V |
    | VGSS(栅极连续电压) | ±20 | V |
    | VGSM(栅极瞬态电压) | ±30 | V |
    | ID25(漏极电流,TC=25℃)| 156 | A |
    | IDM(漏极脉冲电流) | 630 | A |
    | IA(允许的连续漏极电流)| 100 | A |
    | EAS(单脉冲雪崩能量) | 5 | J |
    | dv/dt(最大上升率) | 20 | V/ns |
    | PD(功耗,TC=25℃) | 600 | W |
    | TJ(结温范围) | -55...+175 | °C |
    | TJM(最高结温) | 175 | °C |
    | Tstg(储存温度范围) | -55...+175 | °C |
    | TL(焊点温度) | 300 | °C |
    | TSOLD(塑料封装温度) | 260 | °C |
    | VISOL(绝缘耐压) | 2500 | V~ |

    产品特点和优势


    1. 硅芯片直接铜键合(DCB)基板:提升了散热性能,确保在高功率应用中的稳定性。
    2. 电气隔离:通过绝缘安装表面实现高达2500V的电气隔离,提高安全性和可靠性。
    3. 低寄生电感:减少信号失真和提高系统的整体效率。
    4. 易于安装:简化了安装过程,节省了空间,提高了设备的紧凑性。
    5. 高功率密度:适合于需要高效能、紧凑设计的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 同步整流:利用其高速开关特性,可以在高频条件下进行高效的电力转换。
    - DC-DC转换器:在要求严格的应用中提供稳定的输出,如通信设备中的电源模块。
    - 电池充电器:通过高效率和低损耗的特点,延长电池寿命并提升充电速度。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,注意保证良好的散热条件,以避免器件过热。
    - 高频应用时,应注意电路设计,以减少寄生效应的影响。

    兼容性和支持


    IXFR230N20T 设计上兼容多种电路布局,可以方便地集成到现有的电源管理系统中。IXYS公司为客户提供全面的技术支持,包括详细的用户手册和技术文档,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何处理过热?
    - 解决方案:增加散热片或者使用散热风扇来加强散热效果。
    2. 问题:如何改善高频工作的效率?
    - 解决方案:优化电路布局,减少寄生电感和电阻,同时选用合适频率的驱动电路。
    3. 问题:如何延长使用寿命?
    - 解决方案:定期检查连接部位的松动情况,及时更换失效的部件。

    总结和推荐


    IXFR230N20T GigaMOSTM 功率MOSFET凭借其优异的电气性能、强大的电气隔离能力和高效能,成为一款值得推荐的产品。其广泛的应用领域和高性价比使其在众多类似产品中脱颖而出。无论是对于工业设备还是消费电子产品,该器件都是一个理想的选择。强烈推荐在需要高性能功率管理的场合使用。

IXFR230N20T参数

参数
Id-连续漏极电流 156A
最大功率耗散 600W(Tc)
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 28nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 378nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@8mA
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 60A,10V
16.13mm(Max)
5.21mm(Max)
21.34mm(Max)
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFR230N20T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFR230N20T数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFR230N20T IXFR230N20T数据手册

IXFR230N20T封装设计

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