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IXFN360N15T2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS N沟道增强型MOS管 GigaMOS TrenchT2 HiperFET系列, Vds=150 V, 310 A, SOT-227封装, 螺纹, 4引脚
供应商型号: IXFN360N15T2
供应商: 国内现货
标准整包数: 100
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFN360N15T2

IXFN360N15T2概述


    产品简介


    产品名称:IXFN360N15T2
    产品类型:N-通道增强型场效应晶体管(MOSFET)
    主要功能:用于电源管理,具有高电流处理能力、快速内在二极管和雪崩额定值等特点。
    应用领域:
    - 同步整流
    - DC-DC转换器
    - 电池充电器
    - 开关模式和共振模式电源
    - 直流斩波器
    - 交流电机驱动
    - 不间断电源
    - 高速功率开关

    技术参数


    最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS):150V
    - 门源电压(VGSS):连续 ±20V;瞬态 ±30V
    - 栅极漏电电流(IGSS):±200nA
    - 源漏漏电电流(IDSS):50μA(TJ = 150°C 时为 5 mA)
    - 栅极电阻(RGI):2.7 Ω
    - 极限功率(PD):1070W(TC = 25°C)
    - 工作温度范围(TJ):-55...+175°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55...+175°C
    - 隔离电压(VISOL):50/60 Hz RMS 下 1 分钟内的隔离电压为 2500V~
    - 外引线电流限制(IL(RMS)):200A
    特征值(TJ = 25°C,除非另有说明):
    - 击穿电压(BVDSS):150V
    - 门限电压(VGS(th)):2.5-5.0V
    - 电阻值(RDS(on)):10V 下为 4.0 mΩ(ID = 60A)
    - 纳秒级上升时间(tr):≤ 150ns

    产品特点和优势


    特点:
    - 符合国际标准封装
    - miniBLOC,带有氮化铝隔离
    - 隔离电压 2500 V~
    - 高电流处理能力
    - 快速内在二极管
    - 雪崩额定值
    - 低 RDS(on)
    优势:
    - 易于安装
    - 节省空间
    - 高功率密度

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在 DC-DC 转换器中用作同步整流器
    - 用于电池充电器中以提高效率
    - 适用于高速功率开关的应用,如电机驱动和不间断电源
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热,以避免过热损坏
    - 对于大电流应用,应确保合适的散热片以维持良好的性能
    - 在选择驱动电阻时,应根据应用需求选择适当的值,以获得最佳的开关性能

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品可以与多种电子元器件和设备兼容,特别是在电源管理和控制方面
    支持和维护:
    - 厂商提供技术支持和售后服务,确保用户能够充分利用产品的各项功能

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 问:如何确保在高温环境下的稳定性?
    - 答:在设计电路时,应确保适当的散热措施,如使用散热片或风扇来降低工作温度。

    2. 问:如何优化开关速度?
    - 答:选择合适的栅极电阻值可以显著影响开关速度。通常,较小的栅极电阻会加快开关速度,但也会增加功耗。

    总结和推荐


    综合评估:
    - IXFN360N15T2 是一款高性能的 N-通道增强型 MOSFET,具有出色的电气特性和可靠性。
    - 它在多个领域有着广泛的应用,包括电源管理和电机控制。
    推荐:
    - 基于其卓越的技术参数和多项优势,IXFN360N15T2 是对高效能电力管理解决方案有需求用户的理想选择。强烈推荐此产品。

IXFN360N15T2参数

参数
Id-连续漏极电流 310A
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 60A,10V
通道数量 1
配置 独立式
栅极电荷 715nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 150V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 47.5nF@25V
最大功率耗散 1.07KW(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@8mA
长*宽*高 38.23mm*25.07mm*9.6mm
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFN360N15T2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFN360N15T2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFN360N15T2 IXFN360N15T2数据手册

IXFN360N15T2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 202.8681
200+ ¥ 195.8118
300+ ¥ 192.2836
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起订量: 100 增量: 100
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