处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFN38N100P

IXFN38N100P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1KW(Tc) 30V 6.5V@1mA 350nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 210mΩ@ 19A,10V 38A 24nF@25V SOT-227B 底座安装,贴片安装 38.23mm*25.42mm*9.6mm
供应商型号: IXFN38N100P
供应商: 国内现货
标准整包数: 100
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFN38N100P

IXFN38N100P概述


    产品简介


    IXFN38N100P MOSFET 是一款高功率密度的功率场效应晶体管(Power MOSFET),采用N通道增强模式设计,具备快速内在整流器特性。该产品符合国际标准封装,具有低栅极电阻、低寄生电感、低RDS(on)和QG等特点。IXFN38N100P 主要应用于直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源及谐振模式电源等场合,特别适合高速功率开关的应用。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS): 1000V
    - 栅源电压(VGSS):
    - 持续: ±30V
    - 瞬态: ±40V
    - 最大连续漏电流(ID):
    - TC = 25°C时: 38A
    - TC = 25°C,脉冲宽度受限于TJM时: 120A
    - 雪崩耐量(EAS): TC = 25°C时 2J
    - 结温(TJ): -55°C ~ +150°C
    - 储存温度(Tstg): -55°C ~ +150°C
    - 热阻抗(RthJC): 0.125°C/W
    - 热阻抗(RthCS): 0.05°C/W
    - 特征值
    - 击穿电压(BVDSS): 1000V
    - 阈值电压(VGS(th)): 3.5 ~ 6.5V
    - 反向传输电容(Crss): 80pF
    - 输入电容(Ciss): 24nF
    - 输出电容(Coss): 1245pF
    - 互导(gfs): 18 ~ 29S
    - 栅极电荷(Qg): 350nC

    产品特点和优势


    - 高功率密度: 使得该MOSFET能够在紧凑的空间内实现高效能。
    - 易于安装: 具备标准化封装,便于安装和维护。
    - 空间节省: 设计紧凑,有助于电路板的小型化。
    - 低栅极电阻和低寄生电感: 减少了信号延迟,提高了开关速度。
    - 快速内在整流器: 适用于需要高速开关的应用。

    应用案例和使用建议


    IXFN38N100P广泛应用于各类电力转换系统中,如DC-DC转换器、电池充电器和开关模式电源。在这些应用中,IXFN38N100P可以提供高效的能量转换效率。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,确保散热良好以避免热失控。
    - 针对高速开关应用,注意并优化PCB布局以减少寄生电感的影响。
    - 在设计驱动电路时,考虑到栅极电荷(Qg)的影响,选择合适的栅极驱动电阻以确保可靠的开关性能。

    兼容性和支持


    IXFN30N100P与市面上常见的电源模块和控制器具有良好的兼容性,方便用户集成到现有的设计中。此外,IXYS公司为用户提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、技术咨询和故障排除指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关时出现过高的dv/dt。
    - 解决方案: 适当增加栅极电阻(RG),减小栅极驱动电流,以降低dv/dt。

    - 问题2: 电路在高温下工作不稳定。
    - 解决方案: 使用散热片或散热器来提高散热效果,或者选用更高散热等级的产品型号。

    总结和推荐


    综上所述,IXFN38N100P是一款高性能的功率MOSFET,其高功率密度、易于安装、空间节省等特点使其在众多应用场合中表现出色。无论是用于DC-DC转换器还是电池充电器,这款MOSFET都能提供可靠的开关性能和高效的能量转换。强烈推荐给那些寻求高性能、高可靠性的功率转换解决方案的工程师和设计师。

IXFN38N100P参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 1KV
栅极电荷 350nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6.5V@1mA
配置 独立式双源
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 1KW(Tc)
Id-连续漏极电流 38A
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 210mΩ@ 19A,10V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 24nF@25V
长*宽*高 38.23mm*25.42mm*9.6mm
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFN38N100P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFN38N100P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFN38N100P IXFN38N100P数据手册

IXFN38N100P封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 268.5562
200+ ¥ 259.2151
300+ ¥ 254.5446
库存: 800
起订量: 100 增量: 100
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 26855.62
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336