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IXFX32N80Q3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET, Q3-Class系列, Vds=800 V, 32 A, PLUS247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 747-IXFX32N80Q3
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFX32N80Q3

IXFX32N80Q3概述


    产品简介


    HiperFET™ Power MOSFET
    产品型号:IXFK32N80Q3 / IXFX32N80Q3
    本产品为IXYS公司生产的高性能N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用Plus247封装(IXFX)和TO-264封装(IXFK)。其具备出色的击穿电压(VDSS = 800V)和电流承载能力(ID = 32A),适合于各种高功率密度的应用场合。
    主要功能:
    - 高速开关
    - 低导通电阻(RDS(on) ≤ 270mΩ)
    - 快速恢复二极管
    - 低门极电荷(QG)
    应用领域:
    - 直流-直流转换器
    - 蓄电池充电器
    - 开关模式和共振模式电源
    - 直流斩波器
    - 温度和照明控制

    技术参数


    - 基本参数:
    - 击穿电压(VDSS): 800V
    - 最大门极电压(VGSS): ±30V
    - 连续漏极电流(ID25): 32A
    - 瞬态漏极电流(IDM): 80A
    - 导通电阻(RDS(on)): 270mΩ
    - 工作环境:
    - 结温(TJ): -55°C 到 +150°C
    - 最大功耗(PD): 1000W
    - 其他特性:
    - 输入电容(Ciss): 6940pF
    - 反向传输电容(Crss): 63pF
    - 输出电容(Coss): 700pF
    - 导通时间(td(on)): 38ns
    - 关断时间(td(off)): 45ns

    产品特点和优势


    - 低内在栅极电阻 和 低封装电感 提升了开关性能。
    - 快速内在整流器 和 低RDS(on) 使效率更高。
    - 高功率密度 和 易安装性 提高了系统的灵活性。
    - 空间节约 使其适用于紧凑型设计。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 在直流-直流转换器中使用,特别是在需要高频开关的应用中表现出色。
    - 使用建议: 在进行电路设计时,需注意散热管理以确保最大电流能力的实现。另外,由于其高速开关特性,门极驱动设计也至关重要,以避免开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品支持多种封装形式(如Plus247和TO-264),便于不同应用场景下的使用。
    - 支持: 厂商提供了详尽的技术文档和售后支持,用户可以通过访问官方网站获得进一步的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 漏电流过大。
    - 解决方法: 检查门极驱动电路,确保门极信号足够强,避免不完全开启。

    - 问题: 散热不良导致过热。
    - 解决方法: 使用合适的散热片或冷却系统来辅助散热。

    总结和推荐


    总体而言,HiperFET™ Power MOSFET(IXFK32N80Q3 / IXFX32N80Q3)是一款具备高可靠性、高功率密度且易于安装的电子元器件。适用于广泛的高功率应用,尤其是需要高速开关和高效能的产品。其易安装性和空间节约的特点使其在现代电子设备中非常受欢迎。因此,我强烈推荐此产品用于相关应用的设计中。

IXFX32N80Q3参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ@ 16A,10V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
栅极电荷 140nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6.5V@4mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.94nF@25V
最大功率耗散 1KW(Tc)
Id-连续漏极电流 32A
Vds-漏源极击穿电压 800V
16.13mm(Max)
5.21mm(Max)
21.34mm(Max)
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFX32N80Q3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFX32N80Q3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFX32N80Q3 IXFX32N80Q3数据手册

IXFX32N80Q3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 31.658 ¥ 267.5101
10+ $ 30.5316 ¥ 257.992
30+ $ 22.1616 ¥ 187.2655
120+ $ 21.105 ¥ 178.3373
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