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FMM22-06PF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 130W 30V 5V@1mA 58nC@ 10V 2个N沟道 600V 350mΩ@ 11A,10V 12A 3.6nF@25V ISOPLUS-I4-PAK-5 通孔安装
供应商型号: FMM22-06PF
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) FMM22-06PF

FMM22-06PF概述

    PolarHVTM HiPerFET N-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    PolarHVTM HiPerFET 是一种先进的 N-通道功率 MOSFET,专为高压和高电流应用设计。它集成了 Direct-Copper Bond (DCB) 衬底上的硅芯片,具备多种优越特性,适用于多种电力电子应用,如直流和交流电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能和风能逆变器、同步整流器、多相直流到直流转换器以及工业电池充电器和开关电源供应。

    2. 技术参数


    - 电气特性
    - 最大漏源电压 \( V{DSS} \): 600 V
    - 最大栅源电压 \( V{GSS} \): ±30 V
    - 持续漏极电流 \( ID \): 12 A @ 25°C
    - 脉冲峰值漏极电流 \( I{DM} \): 66 A @ 25°C
    - 雪崩耐量 \( E{AS} \): 1.0 J @ 25°C
    - 热性能
    - 最大结温 \( T{J} \): -55°C 到 +150°C
    - 存储温度 \( T{STG} \): -55°C 到 +150°C
    - 机械特性
    - 引脚间距离 \( dS, dA \): 1.7 mm (引脚到引脚), 5.5 mm (引脚到背面金属)
    - 整体重量: 9 g
    - 接触隔离电压 \( V{ISOL} \): 2500 V @ 50/60 Hz, RMS, t = 1 min, 引线到接片
    - 电容特性
    - 耦合电容 \( CP \): 40 pF

    3. 产品特点和优势


    - 低门驱动要求:由于较低的栅源电阻 \( R{DS(on)} \leq 350mΩ \),该 MOSFET 需要较低的门驱动电压,从而降低系统功耗。
    - 高功率密度:独特的结构和材料设计使得 PolarHVTM HiPerFET 在相同体积内能够提供更高的功率输出。
    - 快速内在整流:内置的肖特基二极管快速响应,适合高频开关应用。
    - 低源极到接地电容:低寄生电容有助于提高系统的开关速度和效率。
    - 快速开关:较低的 \( tr \) 和 \( tf \) 值表明该 MOSFET 具有较快的开关速度。

    4. 应用案例和使用建议


    - DC和AC电机驱动:适合需要高功率密度的应用场合,如电动汽车中的电动机控制。
    - UPS和电源逆变器:由于其卓越的雪崩耐量和高开关频率能力,可以确保逆变器在各种工作条件下稳定运行。
    - 多相直流到直流转换器:通过低 \( R{DS(on)} \) 和快速开关时间,可以显著提高转换器的效率和稳定性。
    使用建议:
    - 在选择外部栅极电阻时,需考虑 \( R{DS(on)} \) 和 \( V{DSS} \) 参数,以确保系统的稳定性和可靠性。
    - 在高频应用中,注意避免过高的 \( dV/dt \),因为这可能导致瞬态电压应力。

    5. 兼容性和支持


    PolarHVTM HiPerFET 兼容多种电路设计和应用平台,尤其适用于采用 ISOPLUS i4-PakTM 封装的产品。IXYS 提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和故障排除文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 为什么在高温环境下,栅源电压 \( V{GSS} \) 会降低?
    - 解决方案: 增加外置栅极电阻,以限制门驱动电流并保护 MOSFET 的栅极。

    - 问题2: 如何测量 MOSFET 的反向恢复时间 \( t{rr} \)?
    - 解决方案: 使用示波器连接在 MOSFET 的源极和漏极之间,记录关断时的电压波形,根据波形计算 \( t{rr} \)。

    7. 总结和推荐


    PolarHVTM HiPerFET N-Channel Power MOSFET 在高压和高电流应用方面表现出色,特别是在高功率密度和快速开关应用中。其卓越的性能和高可靠性使其成为多种电力电子应用的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高性能和可靠性的电力系统中。

FMM22-06PF参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.6nF@25V
栅极电荷 58nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 350mΩ@ 11A,10V
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 2
配置
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@1mA
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 130W
FET类型 2个N沟道
通用封装 ISOPLUS-I4-PAK-5
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FMM22-06PF厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

FMM22-06PF数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS FMM22-06PF FMM22-06PF数据手册

FMM22-06PF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 185.3978
900+ ¥ 178.9492
1350+ ¥ 175.7248
库存: 2825
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