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FMM60-02TF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 125W 4.5V@ 250µA 90nC@ 10V 2个N沟道 200V 40mΩ@ 30A,10V 33A 3.7nF@25V 通孔安装
供应商型号: ZT-FMM60-02TF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) FMM60-02TF

FMM60-02TF概述

    FMM60-02TF N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FMM60-02TF 是一种高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能和风能逆变器、同步整流器、多相直流到直流转换器、工业电池充电器和开关电源等领域。这款 MOSFET 设计用于高压和高电流的应用场景,具有出色的开关性能和低导通电阻。

    2. 技术参数


    以下是 FMM60-02TF 的关键技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | VDSS (漏源电压) | 200 V | - | 200 V |
    | ID25 (漏极电流 @ TC=25°C) | 33 A | - | - |
    | RDS(on) (导通电阻) | - | 32 mΩ | 40 mΩ |
    | trr (反向恢复时间) | - | 82 ns | - |
    | Qg (栅电荷) | - | 90 nC | - |
    | Ciss (输入电容) | 3700 pF | - | - |
    | Coss (输出电容) | - | 520 pF | - |
    | Crss (反向传输电容) | - | 37 pF | - |
    此外,FMM60-02TF 还具备如下规格:
    - 最高结温:TJ = -55°C 到 +150°C
    - 最高壳温:TSTG = -55°C 到 +150°C
    - 绝缘耐压:VISOLD = 2500 V(50/60Hz,RMS,t = 1min)
    - 最大功耗:PD = 125 W @ TC = 25°C

    3. 产品特点和优势


    FMM60-02TF 具有以下显著特点和优势:
    - 硅芯片直接铜键合 (DCB) 衬底:确保优异的热性能和可靠性。
    - UL 认证封装:提供更高的安全标准。
    - 隔离安装表面:简化安装过程并提高系统安全性。
    - 雪崩额定值:增强抗浪涌能力。
    - 低栅极电荷 (Qg) 和 低漏极到散热片电容:有助于减少开关损耗。
    - 低内部电感:加快开关速度,降低损耗。
    - 快速本征二极管:提供出色的反向恢复性能。

    4. 应用案例和使用建议


    FMM60-02TF 广泛应用于多种高压应用场合,例如:
    - 电机驱动:确保高效的电机控制和低损耗。
    - UPS 和太阳能/风能逆变器:提供可靠的电力转换。
    - 同步整流器:适用于高频应用,减少损耗。
    - 多相直流到直流转换器:提高电源效率和稳定性。
    - 工业电池充电器:提供快速且稳定的充电。
    - 开关电源:提供高效率和低电磁干扰 (EMI)。
    使用建议:
    - 适当散热:为了保持最佳性能,建议使用有效的散热措施。
    - 外部栅极电阻 (RG):设置适当的外部栅极电阻以优化开关性能。
    - 电路设计:考虑使用合适的驱动电路来避免过度开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    FMM60-02TF 兼容多种设备和系统,并提供以下支持:
    - 兼容其他电子元器件:可以与其他主流电子元器件和控制器兼容。
    - 厂商支持:IXYS 提供全面的技术支持,包括设计指导、故障排除和维修服务。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中过热
    - 解决方案: 确保使用有效的散热措施,如散热片或风扇。
    2. 问题: 导通电阻较高
    - 解决方案: 检查安装和接线是否正确,重新调整栅极电阻。
    3. 问题: 开关速度慢
    - 解决方案: 调整驱动电路,增加外部栅极电阻。

    7. 总结和推荐


    FMM60-02TF 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道功率 MOSFET,特别适合于高压和高频应用。其低导通电阻、快速开关时间和高可靠性使其在电机驱动、逆变器和电源管理等领域具有明显的优势。我们强烈推荐此产品给需要高效、稳定电力转换解决方案的设计工程师。

FMM60-02TF参数

参数
最大功率耗散 125W
Id-连续漏极电流 33A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 30A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.7nF@25V
栅极电荷 90nC@ 10V
配置 -
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FMM60-02TF厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

FMM60-02TF数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS FMM60-02TF FMM60-02TF数据手册

FMM60-02TF封装设计

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