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IXFK360N10T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.25KW(Tc) 20V 5V@3mA 525nC@ 10 V 1个N沟道 100V 2.9mΩ@ 100A,10V 360A 33nF@25V TO-264-3 通孔安装
供应商型号: IXFK360N10T
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK360N10T

IXFK360N10T概述


    产品简介


    IXFK360N10T 和 IXFX360N10T 产品介绍
    IXFK360N10T 和 IXFX360N10T 是由 IXYS 公司生产的一系列高性能 N 沟道增强模式功率 MOSFET(场效应晶体管)。这些产品采用先进的沟槽技术制造,具有高电流处理能力和快速反向恢复二极管。这些 MOSFET 主要用于同步整流、DC-DC 转换器、电池充电器、开关电源、直流斩波器、交流电机驱动和不间断电源等领域。它们特别适用于高功率密度和高速功率开关的应用场景。

    技术参数


    - 额定电压 (VDSS):100 V
    - 最大栅源电压 (VGSS):± 20 V
    - 最大连续漏极电流 (ID25):360 A
    - 内部引线电流限值 (IL(RMS)):160 A
    - 峰值脉冲电流 (IDM):900 A
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10V, ID = 100A 下为 2.9 mΩ
    - 上升时间 (tr):≤ 130 ns
    - 下降时间 (tf):≤ 130 ns
    - 最大瞬态热阻抗 (Z(th)JC):0.12 °C/W

    产品特点和优势


    特点:
    1. 国际标准封装
    2. 高电流处理能力
    3. 快速反向恢复二极管
    4. 适用雪崩击穿等级
    5. 低导通电阻 (RDS(on))
    优势:
    1. 安装简便
    2. 空间节省
    3. 高功率密度

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 同步整流
    - DC-DC 转换器
    - 电池充电器
    - 开关模式和共振模式电源
    - 直流斩波器
    - 交流电机驱动
    - 不间断电源
    - 高速功率开关
    使用建议:
    1. 在高功率密度的应用中,选择合适的散热方式以避免过热。
    2. 根据实际应用场景,合理配置电路参数,确保电路稳定运行。
    3. 在高频率工作条件下,应考虑寄生电容的影响,以优化电路性能。

    兼容性和支持


    - 这些 MOSFET 具有国际标准封装,易于与其他电子元件和设备集成。
    - 厂商提供技术支持和维护服务,确保客户能够顺利使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何选择合适的栅源电压 (VGSS)?
    - 解决方案: 为了确保设备正常工作,栅源电压应保持在± 20 V以内。过高或过低的栅源电压可能导致设备损坏。
    问题2:如何判断设备是否过热?
    - 解决方案: 通过监测设备的表面温度和电流输出,可以及时发现过热现象。一旦检测到异常高温,应立即采取措施进行散热。

    总结和推荐


    综合评估:
    IXFK360N10T 和 IXFX360N10T MOSFET 具备高电流处理能力、快速响应和低导通电阻的特点,特别适合于高功率密度和高速功率开关的应用场合。其独特的设计使得安装简便,且空间节省。通过合理的电路配置,可以在多种应用场景中发挥出色表现。
    推荐:
    综上所述,IXFK360N10T 和 IXFX360N10T MOSFET 是一款值得推荐的产品,尤其适用于高功率密度和高速功率开关的设计需求。

IXFK360N10T参数

参数
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 33nF@25V
Id-连续漏极电流 360A
Rds(On)-漏源导通电阻 2.9mΩ@ 100A,10V
最大功率耗散 1.25KW(Tc)
栅极电荷 525nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@3mA
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
19.96mm(Max)
5.13mm(Max)
26.16mm(Max)
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFK360N10T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK360N10T数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK360N10T IXFK360N10T数据手册

IXFK360N10T封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ ¥ 96.2981
600+ ¥ 92.9486
900+ ¥ 91.2739
库存: 350
起订量: 300 增量: 300
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最小起订量为:300
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