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IXFN55N50

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 625W(Tc) 20V 4.5V@8mA 330nC@ 10 V 1个N沟道 500V 90mΩ@ 27.5A,10V 55A 9.4nF@25V SOT-227B 底座安装,贴片安装
供应商型号: ZT-IXFN55N50
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFN55N50

IXFN55N50概述


    产品简介


    产品名称:IXFK55N50 / IXFX55N50 / IXFN55N50 HiPerFET Power MOSFET
    该系列产品为单片式功率场效应晶体管(Power MOSFET),采用多种国际标准封装形式,包括SOT-227 B (IXFN)、TO-264 AA (IXFK) 和PLUS247 (IXFX)。这些器件主要用于高频开关电源、电机驱动、不间断电源系统(UPS)等领域,适用于高电流密度和高可靠性需求的应用场合。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 最大漏源电压(VDSS):500V
    - 漏极连续电流(ID25):55A(TC=25°C)
    - 漏极脉冲电流(IDM):220A(TC=25°C)
    - 最大门限电压(VGSS):±20V
    - 最大门限瞬态电压(VGSM):±30V
    - 最大门栅短路电流(IGSS):±200nA
    - 最大导通电阻(RDS(on)):90mΩ(VGS=10V, ID=0.5ID25)
    - 最小开关时间(td(on)):45ns
    - 最小恢复时间(trr):250ns
    - 最大功耗(PD):625W(TC=25°C)
    - 工作环境:
    - 结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 结温最大值(TJM):+150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 封装特点:
    - 国际标准封装,符合UL 94 V-0标准,阻燃等级达到V-0。
    - miniBLOC封装采用氮化铝隔离,具备低热阻抗。
    - PLUS247封装提供夹子或弹簧固定方式,易于安装且节省空间。

    - 性能优势:
    - 高耐压能力(VDSS 500V)。
    - 低导通电阻(RDS(on) 90mΩ)。
    - 快速开关速度(td(on) 45ns, trr 250ns)。
    - 极低栅极电荷(Qg(on) 330nC)。
    - 强大的单体结构,能够承受高压冲击(UIS额定)。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 高频开关电源中的主开关器件。
    - 电动机驱动中的逆变器。
    - 不间断电源(UPS)系统中的电力调节器。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,考虑其快速开关特性,以减少损耗并提高效率。
    - 在高频率应用中,注意其寄生电容的影响,合理选择栅极电阻以优化开关过程。
    - 在高温环境下使用时,确保散热措施足够,避免超过最大允许结温(TJM 150°C)。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 具有PLUS247封装,支持夹子或弹簧固定,适合各种安装需求。
    - SOT-227 B和TO-264 AA封装,便于不同应用场景的选择。
    - 支持和维护:
    - IXYS公司提供全面的技术支持,包括设计咨询、样品申请和技术文档下载。
    - Mouser Electronics作为授权分销商,提供即时库存查询、订单处理及产品生命周期管理服务。

    常见问题与解决方案


    - Q: 开关过程中的高频振荡如何处理?
    - A: 使用合适的栅极电阻,以减缓开关过程中的边缘速率,从而抑制高频振荡。

    - Q: 长期运行时导通电阻变化较大怎么办?
    - A: 定期进行测试和校准,以监控导通电阻的变化情况。同时,确保散热系统有效,以防止因过热导致的导通电阻增加。

    - Q: 如何处理栅极干扰问题?
    - A: 使用适当的滤波器和屏蔽措施,以减轻栅极上的噪声干扰。

    总结和推荐


    综述:
    IXFK55N50/IXFX55N50/IXFN55N50 HiPerFET Power MOSFET具备出色的电气特性和可靠的工作性能,适用于高频开关电源和电机驱动等高要求的应用场景。其封装多样化,支持不同的安装方式,为设计者提供了灵活性。
    推荐:
    鉴于其高效率、可靠性及多样化的封装选择,强烈推荐该系列MOSFET用于各类工业和消费电子领域。如果您需要高性能的功率转换和控制,该系列产品将是理想的选择。

IXFN55N50参数

参数
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.4nF@25V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 55A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 500V
最大功率耗散 625W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@ 27.5A,10V
栅极电荷 330nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@8mA
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IXFN55N50厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFN55N50数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFN55N50 IXFN55N50数据手册

IXFN55N50封装设计

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