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IXFT15N100Q3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 690W(Tc) 30V 6.5V@4mA 64nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 1.05Ω@ 7.5A,10V 15A 3.25nF@25V TO-268AA 贴片安装
供应商型号: 747-IXFT15N100Q3
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFT15N100Q3

IXFT15N100Q3概述

    电子元器件技术手册:IXFT15N100Q3 和 IXFH15N100Q3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    IXFT15N100Q3 和 IXFH15N100Q3 是 IXYS 公司生产的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET,广泛应用于直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器以及温度和照明控制等领域。这些 MOSFET 配备了快速内在整流器,具有低导通电阻和低栅极电荷的特点。

    2. 技术参数


    以下是 IXFT15N100Q3 和 IXFH15N100Q3 的主要技术参数:
    - 最大额定值
    - VDSS (漏源电压):1000V
    - VDGR (栅源电压):1000V
    - VGSS (栅极电压):连续±30V,瞬时±40V
    - ID25 (25°C时的漏极电流):15A
    - IDM (峰值漏极电流):45A(脉冲宽度受限于TJM)
    - IA (工作电流):7.5A
    - EAS (雪崩能量):1.0J
    - dv/dt (电压上升率):50V/ns(IS ≤ IDM,VDD ≤ VDSS,TJ ≤ 150°C)
    - PD (功率耗散):690W
    - TJ (结温):-55°C ~ +150°C
    - TJM (最高结温):150°C
    - Tstg (存储温度):-55°C ~ +150°C
    - TL (焊接温度):300°C,1.6mm (0.062in.) 距离外壳10秒
    - Tsold (焊接时间):塑料体,10秒内260°C
    - Md (安装扭矩):1.13Nm / 10lb.in. (TO-247)
    - 重量:TO-268(4.0g),TO-247(6.0g)
    - 性能参数
    - RDS(on):≤1.05Ω(VGS = 10V,ID = 0.5•ID25)
    - trr:≤250ns
    - Ciss:3250pF
    - Coss:265pF
    - Crss:24pF
    - RGi (栅输入电阻):0.20Ω
    - td(on):28ns
    - tr:10ns
    - td(off):30ns
    - tf:8ns
    - Qg(on):64nC
    - Qgs:23nC(VGS = 10V,VDS = 0.5•VDSS,ID = 0.5•ID25)
    - Qgd:27nC
    - RthJC:0.18°C/W
    - RthCS:0.21°C/W (TO-247)

    3. 产品特点和优势


    - 低内在栅极电阻:提高了整体电路效率。
    - 国际标准封装:便于集成到现有系统中。
    - 低封装电感:有助于提高开关速度。
    - 快速内在整流器:减少了外部整流元件的需求。
    - 低RDS(on) 和 QG:降低了损耗,提升了能效。

    4. 应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 广泛应用于高效率的电源转换场合,如数据中心、电信设备、工业自动化等。具体应用包括直流-直流转换器、电池充电器和各种开关电源设计。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在大电流和高温环境下。
    - 使用合适的门极驱动器以避免过高的 dv/dt 导致的误触发。
    - 在设计中考虑足够的旁路电容以减少电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    IXFT15N100Q3 和 IXFH15N100Q3 支持国际标准封装,易于与其他常用电子元件集成。IXYS 提供详尽的技术支持,包括文档、样品和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过高的温度导致 MOSFET 损坏。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用合适的散热器和风扇。
    - 问题:不正确的门极驱动电压导致器件损坏。
    - 解决方案:确认门极驱动器能够提供足够的电压范围,并遵循制造商的指导。
    - 问题:高频操作下电磁干扰严重。
    - 解决方案:增加旁路电容和滤波器,优化 PCB 布局以减少电磁干扰。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IXFT15N100Q3 和 IXFH15N100Q3 是高性能、高可靠性的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET,非常适合需要高效率、低损耗的应用场合。强烈推荐用于需要严格控制温度和高频操作的现代电力电子系统。

IXFT15N100Q3参数

参数
配置 独立式
最大功率耗散 690W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 1KV
Id-连续漏极电流 15A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6.5V@4mA
通道数量 1
栅极电荷 64nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.05Ω@ 7.5A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.25nF@25V
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
16.05mm(Max)
14mm(Max)
5.1mm(Max)
通用封装 TO-268AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFT15N100Q3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFT15N100Q3数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFT15N100Q3 IXFT15N100Q3数据手册

IXFT15N100Q3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 20.148 ¥ 170.2506
10+ $ 18.0252 ¥ 152.3129
30+ $ 12.4416 ¥ 105.1315
120+ $ 11.718 ¥ 99.0171
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