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IXTK22N100L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS N沟道增强型MOS管 Linear系列, Vds=1000 V, 22 A, TO-264封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: ZT-IXTK22N100L
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTK22N100L

IXTK22N100L概述

    IXYS IXTK22N100L/IXTX22N100L N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXYS IXTK22N100L 和 IXTX22N100L 是两款高性能的 N-Channel 增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们适用于多种应用场景,包括线性操作、电流调节器、DC-DC 转换器、电池充电器、直流斩波器及温度和照明控制。这两款 MOSFET 的设计旨在提供卓越的性能和可靠性,在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。

    技术参数


    - 最大电压(VDSS): 1000 V
    - 栅源电压(VGSS): ±30 V(连续),±40 V(瞬态)
    - 连续漏极电流(ID): 22 A (TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 50 A (TC = 25°C)
    - 正向电流(IA): 22 A
    - 雪崩能量(EAS): 1.5 J
    - 功率耗散(PD): 700 W (TC = 25°C)
    - 工作结温(TJ): -55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围(Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 结到壳热阻(RthJC): 0.18 °C/W
    - 结到散热片热阻(RthCS): 0.15 °C/W
    - 输出电容(Ciss): 7050 pF
    - 结至壳的焊接温度(TL): 300°C (1.6 mm from case)
    - 端子重量: TO-264 (10 g), PLUS247 (6 g)

    产品特点和优势


    - 线性操作设计: 适用于需要高精度和高可靠性的应用场景。
    - 雪崩额定值: 在极端条件下仍能稳定工作。
    - UL94 V-0 等级的环氧模塑材料: 符合严格的防火标准。
    - 易于安装: 提供稳定的电气性能且占用空间小。
    - 高功率密度: 在有限的空间内提供出色的性能。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 可用于多种场合,例如:
    - 电流调节器: 控制电流以实现精确的电力传输。
    - DC-DC 转换器: 将一种直流电转换为另一种直流电。
    - 电池充电器: 用于智能充电管理。
    在使用时,建议关注散热问题,特别是在高电流运行的情况下。通过优化电路设计和适当增加散热措施,可以确保长时间稳定运行。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 具有广泛的兼容性,可以与各种电路和系统集成。IXYS 公司提供了详细的技术文档和支持服务,包括在线技术支持和维修服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何确保正确安装 MOSFET?
    - 解决方法: 按照制造商的指南进行安装,并确保使用适当的焊接工艺。务必检查接线和连接点,以避免接触不良。
    2. 问题: 如何改善散热性能?
    - 解决方法: 使用高效的散热器和风扇,或者改进散热路径,例如添加散热膏。

    总结和推荐


    IXYS IXTK22N100L 和 IXTX22N100L 是高性能的 N-Channel MOSFET,具备卓越的线性操作能力和良好的散热性能。适合用于需要高精度和高可靠性的工业和消费电子产品中。总体而言,这两款产品值得推荐给需要高性能 MOSFET 的应用开发者和工程师。

IXTK22N100L参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 270nC@ 15 V
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ@ 11A,20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.05nF@25V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 1KV
Id-连续漏极电流 22A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 700W(Tc)
长*宽*高 20.29mm*5.31mm*26.59mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTK22N100L厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTK22N100L数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTK22N100L IXTK22N100L数据手册

IXTK22N100L封装设计

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