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IXFH75N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@4mA 260nC@ 10 V 1个N沟道 100V 20mΩ@ 37.5A,10V 75A 4.5nF@25V TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: IXFH75N10
供应商: 云汉优选
标准整包数: 0
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH75N10

IXFH75N10概述


    产品简介


    IXYS公司的HDMOS系列高动态响应功率MOSFET(HiPerFETTM)是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电源管理和控制应用中。这些器件具有高动态响应(high dv/dt)和低反向恢复时间(low trr)的特点,使其成为DC-DC转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源供应器的理想选择。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDSS(漏源电压):100V
    - VGS(栅源电压):连续-20V;瞬态-30V
    - ID(连续漏电流):67A(67N10),75A(75N10)
    - IDM(峰值漏电流):268A(67N10),300A(75N10)
    - Tj(结温):-55到+150°C
    - Ptot(总功耗):300W(TC=25°C)
    - 性能参数
    - RDS(on)(导通电阻):典型值为67N10的0.025Ω,75N10的0.020Ω(VGS=10V, ID=0.5ID25)
    - trr(反向恢复时间):200ns
    - Qg(栅电荷):典型值为260nC
    - Ciss(输入电容):4500pF
    - Coss(输出电容):1600pF
    - Crss(反相电容):800pF
    - RthJC(热阻):0.42K/W
    - RthCK(热阻):0.25K/W

    产品特点和优势


    1. 国际标准封装:提供多种封装选择,方便安装。
    2. 低导通电阻(Low RDS (on)):采用HDMOS工艺制造,具有较低的导通电阻,从而降低损耗。
    3. 坚固的多晶硅栅极结构:提高了器件的可靠性。
    4. 无钳位感性开关(UIS):提高系统可靠性。
    5. 低寄生电感:便于驱动和保护。
    6. 快速固有整流器:提高效率。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - DC-DC转换器
    - 同步整流
    - 电池充电器
    - 开关模式和共振模式电源供应器
    - 直流斩波器
    - 交流电机控制
    - 温度和照明控制
    - 低压继电器
    - 使用建议:
    - 在高频应用中,考虑使用Coss(输出电容)来改善开关性能。
    - 在高压应用中,确保选择合适的工作温度范围,以避免过高的结温。
    - 使用散热器来管理功率MOSFET的热量,尤其是在大功率应用中。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该系列产品具有多种封装形式(TO-204和TO-247),易于与其他标准电子元件兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的测试条件和极限值信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确连接电源?
    - 解决方案:确保所有接线正确,电源输入符合器件的最大额定值。

    - 问题2:如何减少热损耗?
    - 解决方案:使用适当的散热措施,如安装散热片或风扇。

    - 问题3:如何优化驱动电路?
    - 解决方案:根据器件的栅电荷参数选择合适的驱动电路设计,以保证稳定的开关性能。

    总结和推荐


    总体而言,IXYS公司的HiPerFETTM HDMOS系列功率MOSFET凭借其低导通电阻、高动态响应和快速反向恢复时间等特点,在电源管理领域具有明显的优势。其广泛应用的适应性及可靠的性能使其成为电源管理应用的理想选择。我们强烈推荐在涉及高动态响应和低损耗需求的应用中使用这款产品。

IXFH75N10参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 37.5A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.5nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
栅极电荷 260nC@ 10 V
最大功率耗散 300W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@4mA
Id-连续漏极电流 75A
配置 独立式
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IXFH75N10厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH75N10数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH75N10 IXFH75N10数据手册

IXFH75N10封装设计

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