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IXTT500N04T2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1KW(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 405nC@ 10 V 1个N沟道 40V 1.6mΩ@ 100A,10V 500A 25nF@25V TO-268AA 贴片安装 14mm*16.05mm*5.1mm
供应商型号: IXTT500N04T2
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTT500N04T2

IXTT500N04T2概述

    # IXTH500N04T2 & IXTT500N04T2 技术手册概述

    产品简介


    IXTH500N04T2 和 IXTT500N04T2 是由 IXYS Corporation 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件采用 TrenchT2TM 技术,拥有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力。它们适用于多种应用场合,如同步降压转换器、高电流开关电源、电池供电电动机、谐振模式电源、电子镇流器应用及 D 类音频放大器等。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDSS(栅源电压):40 V
    - ID(漏极电流):500 A
    - EAS(雪崩能量):800 mJ
    - PD(功率耗散):1000 W
    - 工作温度范围:TJ -55 ... +175 °C
    - 存储温度范围:Tstg -55 ... +175 °C
    - 引脚温度:TL 300 °C(1.6mm (0.062in.) 铝合金引脚)

    - 特征值
    - 导通电阻(RDS(on)):1.6 mΩ(VGS = 10V,ID = 100A)
    - 输出电容(Coss):4410 pF
    - 反向传输电容(Crss):970 pF
    - 输入电阻(RGi):1.1 Ω
    - 门级上升时间(td(on)):37 ns
    - 门级下降时间(td(off)):68 ns
    - 热阻(RthJC):0.15 °C/W
    - 硬件切换时间(trr):84 ns

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:确保了广泛的适用性和互换性。
    - 高温工作能力:可在高达175°C的工作温度下稳定运行。
    - 高电流处理能力:可承受高达500A的连续漏极电流。
    - 雪崩额定值:具备抗雪崩能力。
    - 快速固有二极管:提高了整体效率。
    - 低导通电阻:减少了功率损耗,提高了能效。

    应用案例和使用建议


    - 同步降压转换器:适用于需要高效能和低能耗的电源设计。
    - 高电流开关电源:可用于工业自动化和数据中心。
    - 电池供电电动机:适合电动汽车和混合动力汽车应用。
    - 谐振模式电源:可用于高频电子设备。
    - D 类音频放大器:具有低失真和高保真的特点。
    使用建议
    - 在选择栅极电阻时,需根据具体的应用需求进行调整以优化开关速度和能耗。
    - 在散热设计上,应考虑热阻和工作温度的影响,避免过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    - 这些 MOSFET 器件与其他标准封装的电子元器件兼容,能够方便地集成到现有系统中。
    - IXYS 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的使用指南和故障排查手册。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 器件在高电流下的温升如何控制?
    - A: 通过有效的散热设计,如增加散热片或使用散热膏,可以有效降低器件的温升。

    2. Q: 如何优化开关速度?
    - A: 调整栅极电阻和驱动电压,以达到最佳的开关性能。

    3. Q: 设备在长期运行中出现不稳定的情况怎么办?
    - A: 检查散热系统是否正常工作,同时检查负载条件是否超出额定值。

    总结和推荐


    IXTH500N04T2 和 IXTT500N04T2 功率 MOSFET 是高性能的电子元件,适用于各种高要求的应用场景。其低导通电阻、高电流处理能力和高温工作能力使其在市场上具有显著的竞争优势。对于需要高效能和可靠性的系统设计,这些 MOSFET 是理想的选择。建议在实际应用前仔细阅读技术手册并遵循相应的设计指南。

IXTT500N04T2参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 500A
栅极电荷 405nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6mΩ@ 100A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
最大功率耗散 1KW(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 25nF@25V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
长*宽*高 14mm*16.05mm*5.1mm
通用封装 TO-268AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTT500N04T2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTT500N04T2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTT500N04T2 IXTT500N04T2数据手册

IXTT500N04T2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 101.0705
900+ ¥ 97.555
1350+ ¥ 95.7972
库存: 1980
起订量: 450 增量: 450
交货地:
最小起订量为:450
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