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IXTT1N450HV

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 520W(Tc) 20V 6.5V@ 250µA 40nC@ 10 V 1个N沟道 4.5KV 85Ω@ 50mA,10V 1A 1.73nF@25V TO-268AA 贴片安装
供应商型号: 747-IXTT1N450HV
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTT1N450HV

IXTT1N450HV概述

    # IXTT1N450HV & IXTH1N450HV 高压功率MOSFET

    产品简介


    IXTT1N450HV 和 IXTH1N450HV 是由 IXYS 公司设计并生产的高性能 N-Channel 增强模式高压功率 MOSFET。它们广泛应用于高电压电源、电容放电电路、脉冲电路以及激光和X射线发生系统等。这些 MOSFET 以其高效能、高可靠性以及紧凑的设计而著称。

    技术参数


    以下是这些 MOSFET 的主要技术参数:
    | 参数 | 最大值 |

    | VDSS(阻断电压) | 4500 V |
    | VDGR(栅极电阻) | 4500 V |
    | VGSS(栅源电压) | ±20 V(连续),±30 V(瞬态) |
    | ID25(25°C 下最大漏电流) | 1 A |
    | IDM(脉冲条件下最大漏电流) | 3 A |
    | PD(耗散功率) | 520 W |
    | TJ(结温) | -55°C 到 +150°C |
    | TJM(最高结温) | 150°C |
    | Tstg(存储温度范围) | -55°C 到 +150°C |
    | TL(焊接时的最大引脚温度) | 300°C |
    | TSOLD(焊接时间) | 1.6mm 引脚处 260°C |
    | FC(安装力) | 10..65 / 22..14.6 N/lb |
    | Md(安装扭矩) | 1.13/10 Nm/lb.in |
    | 重量 | TO-263HV:2.5 g,TO-247HV:6.0 g |

    产品特点和优势


    特点
    - 高阻断电压:高达4500V,适用于高压环境。
    - 紧凑设计:节省空间,提高功率密度。
    - 容易安装:通过标准安装力和扭矩来保证良好连接。
    优势
    - 空间节约:适用于对空间要求严格的设备。
    - 高功率密度:适合高功率需求的应用场景。
    - 安装简便:减少安装难度和时间成本。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 适合应用于高电压电源、电容放电电路、脉冲电路及激光和X射线发生系统。为了确保最佳性能,建议在设计电路时注意以下几点:
    - 散热管理:确保良好的热管理,特别是在高电流条件下。
    - 驱动电路:确保驱动电压和电流符合技术参数要求。
    - 保护措施:为防止过压和过流情况,建议加入必要的保护电路。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 支持与其他标准组件的兼容使用。IXYS 公司提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和使用这些器件。如需进一步技术支持,可以联系官方技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过载导致器件失效
    - 解决方案:使用过流保护电路,并检查散热系统以确保有效散热。
    2. 问题:启动时驱动不足
    - 解决方案:确保驱动电压达到规定的最大值,并增加缓冲电路以稳定驱动信号。
    3. 问题:高温环境下表现不稳定
    - 解决方案:改善散热条件,选择合适的工作温度范围内的器件型号。

    总结和推荐


    IXTT1N450HV 和 IXTH1N450HV 是高性能的高压功率 MOSFET,在高电压电源和高功率需求应用中表现出色。它们具备高可靠性和良好的散热性能,适用于各种工业应用。对于需要高可靠性和紧凑设计的场合,强烈推荐使用这些 MOSFET。
    希望上述内容能够为您提供足够的信息来做出明智的选择。如有更多疑问,欢迎随时联系我们的技术支持团队。

IXTT1N450HV参数

参数
栅极电荷 40nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.73nF@25V
最大功率耗散 520W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 4.5KV
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 85Ω@ 50mA,10V
Id-连续漏极电流 1A
通用封装 TO-268AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTT1N450HV厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTT1N450HV数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTT1N450HV IXTT1N450HV数据手册

IXTT1N450HV封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 50.919 ¥ 430.2656
10+ $ 47.0772 ¥ 397.8023
30+ $ 37.1952 ¥ 314.2994
60+ $ 36.1515 ¥ 305.4802
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