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IXFH40N30

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@4mA 200nC@ 10 V 1个N沟道 300V 85mΩ@ 500mA,10V 40A 4.8nF@25V TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: ZT-IXFH40N30
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH40N30

IXFH40N30概述

    高性能功率MOSFET技术手册

    1. 产品简介


    本手册介绍了IXYS公司生产的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),包括IXFH/IXFM35N30和IXFH40N30型号。这些产品属于N-通道增强型模式器件,具备高dv/dt、低trr的特点,适用于多种高压和高频应用场合。其主要用途包括直流-直流转换器、同步整流、电池充电器、开关电源和交流电机控制等。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS):300V
    - 栅源电压(VGS):连续操作:±20V;瞬态:±30V
    - 漏极电流(ID):IXFH/IXFM35N30为35A;IXFH40N30为40A
    - 脉冲电流(IDM):IXFH/IXFM35N30为140A;IXFH40N30为160A
    - 轴向击穿电流(IAR):IXFH/IXFM35N30为35A;IXFH40N30为40A
    - 热耗散(PD):300W
    - 工作温度范围(TJ):-55℃到+150℃
    - 储存温度范围(Tstg):-55℃到+150℃

    - 典型特性值:
    - 门限电压(VGS(th)):2.0V~4.0V
    - 门极-源极漏电流(IGSS):≤100nA
    - 开启电阻(RDS(on)):IXFH/IXFM35N30为0.100Ω;IXFH40N30为0.085Ω
    - 反向恢复时间(trr):≤200ns
    - 二极管反向恢复时间(trr):≤350ns
    - 热阻(RthJC):0.42K/W
    - 热阻(RthCK):0.25K/W


    3. 产品特点和优势


    - 特点:
    - 采用国际标准封装
    - 低导通电阻(RDS(on)),高密度集成
    - 结构坚固的多晶硅栅极单元
    - 高抗雪崩能力(UIS)
    - 低寄生电感,易于驱动和保护
    - 内置快速整流器

    - 优势:
    - 易于安装,单螺钉固定(TO-247封装)
    - 节省空间
    - 高功率密度


    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 在DC-DC转换器中实现高效的能量转换
    - 用于电池充电器,确保快速且安全的充电过程
    - 在电机控制应用中提供可靠的电源管理

    - 使用建议:
    - 在使用过程中,应严格控制电流和温度,避免过载和过热导致的损坏
    - 注意栅极驱动电路的设计,以减少栅极噪声和误触发


    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 这些MOSFET可以与大多数主流电源管理IC和控制器兼容,适用于广泛的系统设计

    - 支持:
    - IXYS公司提供了详细的技术文档和支持服务,以帮助客户进行产品选型和应用设计

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的栅极电压导致器件损坏。
    - 解决办法:确保栅极电压不超过额定值,使用合适的栅极驱动电路。
    - 问题2:过载电流导致的热失控。
    - 解决办法:合理分配负载,安装适当的散热装置,定期检测工作温度。
    - 问题3:器件关断时出现电压尖峰。
    - 解决办法:添加合适的缓冲电路,减小dv/dt和di/dt的影响。

    7. 总结和推荐


    这款高性能功率MOSFET凭借其低导通电阻、高功率密度和出色的可靠性,在多个应用领域展现出卓越的表现。它适用于多种电力电子应用,特别是在高压、高频环境下。强烈推荐用于需要高效能、高可靠性的电源管理和电机控制系统。

IXFH40N30参数

参数
栅极电荷 200nC@ 10 V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 500mA,10V
Vds-漏源极击穿电压 300V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 40A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@4mA
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.8nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 300W(Tc)
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH40N30厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH40N30数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH40N30 IXFH40N30数据手册

IXFH40N30封装设计

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