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IXFK64N60P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.04KW(Tc) 30V 5V@8mA 200nC@ 10 V 1个N沟道 600V 96mΩ@ 500mA,10V 64A 12nF@25V TO-264-3 通孔安装 19.96mm*5.13mm*26.16mm
供应商型号: 747-IXFK64N60P
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK64N60P

IXFK64N60P概述

    # PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    PolarHVTM HiPerFET 是一款高性能N通道增强型功率MOSFET,具有快速恢复二极管的特点。这款电子元器件适用于国际标准封装,广泛应用于工业自动化、电源转换、电机驱动等领域。它具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 96 mΩ)、高雪崩耐受能力(Avalanche Rated)和快速恢复时间(trr ≤ 200 ns),使其成为高效率、高可靠性的理想选择。

    技术参数


    以下是PolarHVTM HiPerFET的主要技术参数:
    | 参数 | 值 |

    | 最大漏源电压(VDSS)| 600 V |
    | 最大栅源电压(VGSS)| ±30 V |
    | 额定连续漏电流(ID25)| 64 A |
    | 最大脉冲漏电流(IDM)| 150 A |
    | 最小导通电阻(RDS(on))| 96 mΩ |
    | 最大栅漏电荷(Qg)| 200 nC |
    | 最大输出电容(Coss)| 1150 pF |
    | 最大输入电容(Ciss)| 12 nF |
    | 最大反向恢复时间(trr)| 200 ns |
    工作环境参数
    | 参数 | 值 |

    | 工作温度范围(TJ) | -55°C ~ +150°C |
    | 储存温度范围(Tstg)| -55°C ~ +150°C |
    | 最大结温(TJM) | +150°C |
    | 最大功率耗散(PD) | 1040 W |
    | 结壳热阻(RthJC) | 0.12 °C/W |
    | 管壳热阻(RthCS) | 0.15 °C/W |

    产品特点和优势


    PolarHVTM HiPerFET 的主要特点和优势如下:
    - 易于安装:采用国际标准封装,方便用户安装。
    - 空间节省:高功率密度设计,使得器件体积更小。
    - 抗浪涌能力强:额定抗雪崩能力,确保在极端条件下稳定运行。
    - 低栅极电荷:Qg(on) 仅为 200 nC,有利于提高开关速度和减少功耗。
    - 快恢复二极管:内置快恢复二极管,减少了外部电路设计的复杂度。

    应用案例和使用建议


    PolarHVTM HiPerFET 可广泛应用于工业自动化、电源转换系统、电机驱动等领域。例如,在高功率开关电源中,由于其高功率密度和快速开关特性,可以显著提升系统的整体效率。
    使用建议
    - 散热管理:建议使用高效散热器以确保工作温度不超过最大结温限制。
    - 布局优化:在PCB设计时,尽量减少长走线,避免不必要的寄生电感。
    - 保护措施:增加栅极保护电路,以防止电压尖峰对器件造成损坏。

    兼容性和支持


    PolarHVTM HiPerFET 支持多种国际标准封装,如TO-264和PLUS247。制造商提供了详细的技术支持和文档资源,帮助用户进行设计和调试。此外,制造商还提供长期的售后服务和技术咨询。

    常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备在高温环境下无法正常工作。
    解决办法:检查散热装置是否有效,必要时增加额外的冷却措施。

    2. 问题:电源纹波较大。
    解决办法:检查电源设计是否合理,考虑增加滤波电容或其他稳压措施。
    3. 问题:设备启动时发生异常噪声。
    解决办法:检查布线是否存在短路或接地不良,优化电路设计。

    总结和推荐


    综上所述,PolarHVTM HiPerFET是一款性能卓越、可靠性高的功率MOSFET,特别适合需要高效率和高可靠性的应用场合。其独特的设计特点和优越的技术参数使其在市场上具备较强的竞争力。我们强烈推荐在高功率应用中使用此产品,尤其是在工业自动化、电源转换和电机驱动等领域。

IXFK64N60P参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 1.04KW(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 200nC@ 10 V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 12nF@25V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@8mA
Id-连续漏极电流 64A
Rds(On)-漏源导通电阻 96mΩ@ 500mA,10V
长*宽*高 19.96mm*5.13mm*26.16mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFK64N60P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK64N60P数据手册

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IXFK64N60P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 17.756 ¥ 150.0382
10+ $ 16.038 ¥ 135.5211
25+ $ 15.822 ¥ 133.6959
100+ $ 14.931 ¥ 126.167
500+ $ 14.868 ¥ 125.6346
库存: 129
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