处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTY08N50D2

IXTY08N50D2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 60W(Tc) 20V 12.7nC@ 5 V 1个N沟道 500V 4.6Ω@ 400mA,0V 800mA 312pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.22mm*6.73mm*2.38mm
供应商型号: ZT-IXTY08N50D2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTY08N50D2

IXTY08N50D2概述

    电子元器件产品技术手册:IXTY08N50D2、IXTA08N50D2 和 IXTP08N50D2

    产品简介


    IXTY08N50D2、IXTA08N50D2 和 IXTP08N50D2 是 IXYS 公司生产的 N-Channel Depletion MOSFET(耗尽型 N 沟道 MOSFET)。这些器件主要用于音频放大器、启动电路、保护电路、斜坡发生器和电流调节器等领域。它们提供了一个简单易用且具有高功率密度的解决方案,适用于多种工业和消费电子产品。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏极-源极电压 (VDSX):500 V
    - 门极-源极电压 (VGSX):±20 V
    - 门极-源极瞬态电压 (VGSM):±30 V
    - 功率损耗 (PD):60 W(TC = 25°C)
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 到 +150°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 特征值:
    - 击穿电压 (BVDSX):≥500 V
    - 门极关断电压 (VGS(off)):-2.0 V 至 -4.0 V
    - 门极漏电电流 (IGSX):±50 nA
    - 源漏关断电流 (IDSX(off)):≤1 μA(TJ = 125°C 时为 10 μA)
    - 导通电阻 (RDS(on)):4.6 Ω(VGS = 0V,ID = 400mA)
    - 源极导通电流 (ID(on)):≥800 mA
    - 开关时间:
    - 上升时间 (tr):54 ns
    - 下降时间 (tf):52 ns
    - 门极电荷 (Qg):12.7 nC
    - 安全操作区:
    - 最大热阻抗 (RthJC):2.08°C/W(TO-220 封装为 0.50°C/W)

    产品特点和优势


    1. 正常开启模式:该器件在无外部电源的情况下即可开启,方便使用。
    2. 国际标准封装:提供多种封装选择(如 TO-252、TO-263、TO-220),符合行业标准,易于安装。
    3. 高功率密度:适合空间受限的应用。
    4. 阻燃材料:模塑环氧树脂符合 UL94V-0 阻燃等级标准,安全可靠。

    应用案例和使用建议


    - 音频放大器:适用于需要高效功率输出的音频系统,确保音质清晰、无失真。
    - 启动电路:在电机启动时能够快速响应,提供稳定的电流输出。
    - 保护电路:用于过压和过流保护,确保系统的安全运行。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应适当降低功耗以避免热失效。
    - 选择合适的散热片,以提高器件的散热效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性:支持标准焊接工艺,适用于多种 PCB 设计。
    - 支持和维护:IXYS 公司提供详细的技术文档和客户支持服务,确保用户能够充分利用产品的性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通电阻增大。
    - 解决方案:检查门极驱动电压是否足够高,确保门极与源极之间的电压达到规定值。
    2. 问题:发热严重。
    - 解决方案:增加散热措施,如添加散热片或风扇,改善散热条件。
    3. 问题:开关时间延长。
    - 解决方案:减小门极电阻,加快开关速度;检查门极驱动信号的质量。

    总结和推荐


    IXTY08N50D2、IXTA08N50D2 和 IXTP08N50D2 以其高可靠性、易于安装和广泛的应用场景在市场上表现出色。它们适用于多种工业和消费电子产品,特别适合于音频放大器和电机控制等应用。总体而言,这是一款值得推荐的产品。建议在选择时根据具体应用场景和需求进行综合考虑。

IXTY08N50D2参数

参数
最大功率耗散 60W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 312pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 500V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 4.6Ω@ 400mA,0V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Id-连续漏极电流 800mA
栅极电荷 12.7nC@ 5 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
长*宽*高 6.22mm*6.73mm*2.38mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTY08N50D2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTY08N50D2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTY08N50D2 IXTY08N50D2数据手册

IXTY08N50D2封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.9442 ¥ 16.2922
库存: 96
起订量: 34 增量: 70
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 16.29
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336