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IXTA1N200P3HV

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 23.5nC@ 10 V 1个N沟道 2KV 40Ω@ 500mA,10V 1A 646pF@25V TO-263AA 贴片安装
供应商型号: IXTA1N200P3HV
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA1N200P3HV

IXTA1N200P3HV概述

    IXYS High Voltage Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IXYS 公司的高电压功率 MOSFET 是一款针对高电压电力系统的高性能元器件。这款产品采用 N-通道增强模式设计,具有高耐压能力和易于安装的特点。其主要功能包括高压供电、电容放电应用、脉冲电路及激光和X射线发生系统。这些特点使其成为广泛应用于工业控制、电源转换和医疗设备的理想选择。

    技术参数


    以下是此款MOSFET 的关键技术和电气参数:
    - 耐压能力:漏源极击穿电压 VDSS 最大可达 2000V(测试温度范围:25°C 至 150°C)。
    - 连续栅极电压:VGSS 可达 ±20V,瞬态电压 VGSM 可达 ±30V。
    - 最大电流:在 25°C 条件下,连续漏极电流 ID25 可达 1.0A,在 110°C 下为 0.6A;脉冲条件下最大漏极电流 IDM 可达 3.0A。
    - 功耗:在 25°C 条件下的最大耗散功率 PD 为 125W。
    - 工作温度范围:结温 TJ 范围为 -55°C 到 +150°C,封装耐热温度 Tstg 也为 -55°C 到 +150°C。
    - 封装规格:提供 TO-263HV 和 TO-247/HV 两种封装形式,重量分别为 2.5g 和 6.0g。
    - 电阻特性:在 25°C 条件下,当 VGS=10V,ID=0.5A 时,RDS(on) 的最大值为 40Ω。
    - 开关特性:典型上升时间为 26ns,下降时间为 80ns。

    产品特点和优势


    - 高耐压:2000V 的击穿电压使其适用于各种高压环境。
    - 易于安装:专为便捷安装而设计,减少了安装时间。
    - 空间节省:紧凑的封装设计在保证性能的同时,最大限度地节省了电路板空间。
    - 高功率密度:具备高功率处理能力,适用于需要大功率输出的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 高电压电力供应:在需要高电压输出的电源转换设备中,可以利用该MOSFET来稳定输出电压。
    - 电容放电应用:对于需要快速释放能量的应用,如闪光灯等,这种高功率密度的MOSFET是理想选择。
    - 医疗设备:如激光和X射线发生系统,要求稳定的高电压输出,IXYS MOSFET 可以满足这一需求。
    使用建议:为了优化性能,在设计电路时要考虑到最高温度条件下的电流限制和散热管理,确保在极端条件下也能稳定工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与常见的工业控制系统和其他高压电力设备高度兼容。
    - 支持:IXYS公司提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户在选型和使用过程中获得必要的指导和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 过热保护:如果发现设备温度过高,检查散热系统是否正常运行并适当降低环境温度或增加外部冷却措施。
    - 电流不稳:确保所有连接正确无误,并确认电源稳定性。如有需要,可添加适当的滤波器或稳压器。

    总结和推荐


    总体来看,IXYS 的这款高电压功率 MOSFET 在高电压环境中表现优异,其高耐压能力、易于安装和紧凑的封装设计使其成为各种高压电力应用的理想选择。其优秀的性能、合理的成本以及完善的售后服务也增加了其市场竞争力。我们强烈推荐在涉及高电压应用的项目中选用此产品。

IXTA1N200P3HV参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
栅极电荷 23.5nC@ 10 V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 646pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 2KV
Rds(On)-漏源导通电阻 40Ω@ 500mA,10V
Id-连续漏极电流 1A
最大功率耗散 125W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
10.2mm(Max)
9.4mm(Max)
4.7mm(Max)
通用封装 TO-263AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA1N200P3HV厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA1N200P3HV数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA1N200P3HV IXTA1N200P3HV数据手册

IXTA1N200P3HV封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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600+ ¥ 47.7136
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