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IXTT1N300P3HV

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 195W(Tc) 20V 4V@ 250µA 30.6nC@ 10 V 1个N沟道 3KV 50Ω@ 500mA,10V 1A 895pF@25V TO-268HV 贴片安装
供应商型号: 3949112
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTT1N300P3HV

IXTT1N300P3HV概述


    产品简介


    IXTT1N300P3HV 和 IXTH1N300P3HV 是IXYS公司推出的高电压增强型N沟道功率MOSFET,具备高击穿电压和高功率密度的特点。这些器件适用于多种高电压应用场合,如高电压电源供应、电容放电应用、脉冲电路以及激光和X射线生成系统。

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 最大击穿电压(VDSS) | 3000 V |
    | 持续栅极电压(VGSS) | ±20 V |
    | 瞬态栅极电压(VGSM) | ±30 V |
    | 最大连续漏极电流(ID25) | 1.00 A |
    | 最大脉冲漏极电流(IDM) | 2.60 A |
    | 最大耗散功率(PD) | 195 W |
    | 最高结温(TJ) | -55...+150 °C |
    | 最高存储温度(Tstg) | -55...+150 °C |
    | 铅最高焊接温度(TL) | 300 °C |
    | 引脚扭矩(TO-247) | 1.13/10 Nm/lb.in |
    | 引脚扭矩(TO-268) | 未提供 |
    | 权重(TO-268) | 4.0 g |
    | 权重(TO-247) | 6.0 g |

    产品特点和优势


    - 高电压处理能力:具备高达3000V的击穿电压,能够应用于各种高电压环境中。
    - 易安装性:结构设计简单,易于安装和维护。
    - 空间节约:体积小,能有效节省空间。
    - 高功率密度:能够在有限的空间内实现更高的功率输出。
    - 低导通电阻:典型值为50Ω,在正常工作条件下表现优异。
    - 快速响应:开关时间短,非常适合于高频应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些MOSFET常用于高电压电源供应系统、电容放电电路、脉冲驱动电路以及高能物理实验(如激光和X射线生成)。例如,在激光系统中,这类MOSFET可以作为高效的脉冲开关,实现精准的高电压控制。
    使用建议
    1. 散热管理:由于高功率密度,必须采取有效的散热措施,以避免过热导致的损坏。
    2. 引脚扭矩控制:在安装时需确保正确的扭矩,防止过度拧紧导致损坏。
    3. 测试条件:确保在规定的电压和电流范围内操作,特别是在高电压和高温度条件下要格外小心。

    兼容性和支持


    这些MOSFET符合标准封装要求,可直接替换同类型其他产品。制造商提供了详细的技术支持文档和在线咨询服务,以帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热 | 确保使用良好的散热器并增加空气流通。|
    | 开关频率过高导致发热 | 减少开关频率,并确保充分的散热。 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查接线是否正确,确保工作电压在规定范围内。|

    总结和推荐


    IXTT1N300P3HV 和 IXTH1N300P3HV 是一款高性能的高电压增强型N沟道功率MOSFET,特别适合于需要高电压处理能力和高功率密度的应用场合。它们不仅具有出色的电气性能,而且结构紧凑、易于安装,且有强大的技术支持。对于需要高可靠性、高效率和高功率输出的应用来说,这两款MOSFET是理想的选择。因此,强烈推荐在高电压应用系统中使用这些器件。

IXTT1N300P3HV参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 50Ω@ 500mA,10V
栅极电荷 30.6nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 895pF@25V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 3KV
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 195W(Tc)
Id-连续漏极电流 1A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-268HV
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTT1N300P3HV厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTT1N300P3HV数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTT1N300P3HV IXTT1N300P3HV数据手册

IXTT1N300P3HV封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 256.5014
5+ ¥ 256.5014
10+ ¥ 247.3407
50+ ¥ 247.3407
100+ ¥ 247.3407
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