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IXTY01N100D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.1W(Ta),25W(Tc) 20V 1个N沟道 1KV 110Ω@ 50mA,0V 100mA 120pF@25V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: IXTY01N100D
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTY01N100D

IXTY01N100D概述

    High Voltage N-Channel Depletion Mode MOSFET IXTP 01N100D

    产品简介


    IXTP 01N100D 是一款高电压 N 沟道耗尽模式金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它在常开状态下运作,适用于多种应用场合,如电平转换、触发器、固态继电器及电流调节。此款 MOSFET 的主要特点是低导通电阻(RDS(on))和坚固的多晶硅栅极单元结构,使其成为高性能应用的理想选择。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDS(漏源电压):1000 V
    - VDG(栅源电压):1000 V
    - VGS(栅源电压连续):±20 V
    - VGS(栅源电压瞬态):±30 V
    - IDS(漏极电流):100 mA(TC=25°C时)
    - IDM(最大脉冲漏极电流):400 mA(脉宽受 TJ 限制)
    - PD(功率耗散):25 W(TC=25°C时)
    - TA(允许结温):-55°C 到 +150°C
    - TJ(结温):-55°C 到 +150°C
    - TSTG(储存温度范围):-55°C 到 +150°C
    - TL(耐热能力):300°C(10 秒)
    - TISOL(隔离塑料外壳耐热能力):300°C(10 秒)
    - 电气特性
    - RDS(on)(导通电阻):110 Ω(在 VGS=0V 和 ID=50mA 下)
    - gfs(跨导):100 mS 至 150 mS(在 VDS=50V 和 ID=100mA 下)
    - Ciss(输入电容):120 pF
    - Coss(输出电容):25 pF(在 VGS=-10V 和 VDS=25V 下)
    - Crss(反向转移电容):5 pF
    - td(on)(导通延迟时间):8 ns(在 VDS=100V 和 ID=50mA 下)
    - tr(上升时间):6 ns(在 VGS=0V 到 -10V 下)
    - td(off)(关断延迟时间):30 ns(在 RG=30Ω 外部条件下)
    - tf(下降时间):51 ns

    产品特点和优势


    - 通常开启模式:这款 MOSFET 在无栅极电压下处于开启状态,这使得它在多种应用中表现优异。
    - 低 RDS(on):其低导通电阻特性减少了功耗和发热,提高了效率。
    - 坚固的多晶硅栅极单元结构:这种设计提高了其抗干扰能力和可靠性。
    - 快速开关速度:出色的开关性能适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    IXTP 01N100D 可应用于多个领域,例如电平转换器、触发器电路、固态继电器及电流调节器。在具体使用时,确保电路设计中包含适当的散热措施以避免过热,特别是在高电流情况下。此外,考虑将栅极驱动电路与电源部分隔离开来,以提高系统稳定性和抗干扰性。

    兼容性和支持


    这款 MOSFET 具备多种封装形式,包括 TO-220、TO-251 和 TO-252。IXYS 提供全面的技术支持和维护服务,确保客户能获得最佳的应用体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何处理高温环境下的操作?
    - 答:可以通过添加散热片或使用散热膏来增加散热效果,从而保持工作温度在安全范围内。

    2. 问:如果出现过热现象怎么办?
    - 答:检查散热机制是否有效运行,必要时减小负载或采用更好的散热设计。
    3. 问:MOSFET 的栅极电压该如何控制?
    - 答:确保栅极电压不超过最大额定值,并使用合适的栅极电阻以防止瞬态电压损坏。

    总结和推荐


    IXTP 01N100D 高压 N 沟道耗尽模式 MOSFET 是一款具备高可靠性和优良性能的产品,特别适合用于高压环境下的电平转换和电流调节。其独特的设计和卓越的性能使其在市场上具有很强的竞争力。综合考虑以上各方面因素,我们强烈推荐此产品给需要高电压、高可靠性的电路设计人员。

IXTY01N100D参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 110Ω@ 50mA,0V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 1KV
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 100mA
通道数量 -
最大功率耗散 1.1W(Ta),25W(Tc)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 120pF@25V
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTY01N100D厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTY01N100D数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTY01N100D IXTY01N100D数据手册

IXTY01N100D封装设计

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