处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTQ96N15P

IXTQ96N15P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 480W(Tc) 20V 5V@ 250µA 110nC@ 10 V 1个N沟道 150V 24mΩ@ 500mA,10V 96A 3.5nF@25V TO-3P 通孔安装 15.8mm*4.9mm*20.3mm
供应商型号: IXTQ96N15P
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTQ96N15P

IXTQ96N15P概述


    产品简介


    IXTQ 96N15P 和 IXTT 96N15P 型号的 Power MOSFET
    IXTQ 96N15P 和 IXTT 96N15P 是由 IXYS 公司生产的高性能 N 沟道增强模式功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类器件广泛应用于电源管理、电机控制、工业自动化等领域,具备出色的电气特性和可靠性。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDSS:150 V(温度范围:-55°C 到 +150°C)
    - VDGR:150 V(条件:TJ = 25°C 到 150°C,RGS = 1 MΩ)
    - VGSS:±20 V(连续)
    - VGSM:±30 V(瞬态)
    - IDM:250 A(脉冲宽度受 TJM 限制)
    - PD:480 W(TJ = 25°C)
    - 电气特性
    - BVDSS:150 V(条件:VGS = 0 V,ID = 250 µA)
    - VGS(th):2.5 V 到 5.0 V(条件:VDS = VGS,ID = 250 µA)
    - RDS(on):24 mΩ(条件:VGS = 10 V,ID = 0.5 ID25)
    - td(on):30 ns
    - tr:33 ns
    - tf:18 ns
    - Qg(on):110 nC
    - Qgd:59 nC
    - RthJC:0.31°C/W
    - RthCS(TO-3P):0.21°C/W

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:提供 TO-3P 和 TO-268 封装,易于安装且节省空间。
    - 无钳位电感开关 (UIS):具有较高的功率密度,易于驱动和保护。
    - 低封装电感:使得器件更容易进行驱动和保护。
    - 易安装:标准化封装设计方便安装和维护。
    - 高功率密度:适合高电流应用场合。
    - 国际标准封装:符合国际标准,方便集成到现有系统中。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:这类 MOSFET 广泛应用于电源管理、电机控制、逆变器、焊接设备和开关电源等领域。
    - 使用建议:
    - 在高频开关电路中,需要确保良好的散热设计,以避免过热导致损坏。
    - 驱动电压应在安全范围内,避免超过最大额定值。
    - 为减少电磁干扰 (EMI),可以适当增加栅极电阻,降低开关速度。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXTQ 96N15P 和 IXTT 96N15P 可与大多数标准驱动电路兼容,广泛适用于不同类型的电源和控制系统。
    - 支持:IXYS 提供全面的技术支持和售后服务,包括详尽的数据手册、技术文档和应用指南,帮助用户快速上手和解决潜在问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过热现象
    - 解决办法:检查散热设计是否合理,适当增加散热片或散热风扇以提高散热效果。
    - 问题2:驱动不稳定
    - 解决办法:确保驱动电压和电流在安全范围内,适当增加栅极电阻以稳定驱动信号。
    - 问题3:导通电阻过高
    - 解决办法:检查 MOSFET 是否处于正常工作温度范围内,避免过高的工作温度影响性能。

    总结和推荐


    IXTQ 96N15P 和 IXTT 96N15P 功率 MOSFET 在电气性能和可靠性方面表现出色,适用于多种工业应用。其优秀的散热设计、低电感封装和广泛的兼容性使其在市场上具有很强的竞争优势。我们强烈推荐这款产品给需要高性能、高可靠性的工程师和企业。

    这篇文章全面介绍了 IXTQ 96N15P 和 IXTT 96N15P 的技术参数、特点、应用和注意事项,能够帮助读者更好地理解和使用这些功率 MOSFET。

IXTQ96N15P参数

参数
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 500mA,10V
最大功率耗散 480W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
栅极电荷 110nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 96A
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 150V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.5nF@25V
长*宽*高 15.8mm*4.9mm*20.3mm
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTQ96N15P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTQ96N15P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTQ96N15P IXTQ96N15P数据手册

IXTQ96N15P封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ ¥ 41.1654
600+ ¥ 39.7335
900+ ¥ 39.0176
库存: 300
起订量: 300 增量: 300
交货地:
最小起订量为:300
合计: ¥ 12349.62
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336