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IXFA8N65X2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 150W(Ta) 10V 5V@ 250µA 11nC@ 10 V 1个N沟道 650V 450mΩ@ 4A,10V 8A 790pF@25V TO-263 贴片安装
供应商型号: IXFA8N65X2
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFA8N65X2

IXFA8N65X2概述

    X2-Class HiPERFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    1. 产品简介


    X2-Class HiPERFET 是一款高性能的N通道增强模式功率MOSFET,型号为IXFY8N65X2、IXFA8N65X2和IXFP8N65X2。这些MOSFET具备极低的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(QG),适用于多种高压高效率电力转换应用。它们被广泛用于开关模式电源、谐振模式电源、直流-直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动以及机器人和伺服控制等领域。

    2. 技术参数


    - 主要技术参数:
    - 最大漏源电压(VDSS):650V
    - 额定电流(ID25@25°C):8A
    - 导通电阻(RDS(on)):≤450mΩ
    - 极限电流(IDM):16A(脉冲宽度受限于结温)
    - 脉冲电流(IAR):4A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):250mJ
    - 极限门极电压(VGSS):±30V(连续)/±40V(瞬态)
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(BVDSS):650V
    - 门限电压(VGS(th)):3.0~5.0V
    - 泄漏电流(IGSS):±100nA(VGS = ±30V)
    - 导通电流(IDS):500μA(TJ = 125°C)

    - 热特性:
    - 结点温度范围(TJ):-55°C~+150°C
    - 最大结点温度(TJM):150°C
    - 工作温度范围(Tstg):-55°C~+150°C
    - 最大焊料温度(TL):300°C
    - 焊接温度(TSOLD):260°C(距管壳1.6mm,持续10秒)
    - 机械特性:
    - 引脚配置:
    - TO-252:Gate (G), Source (S)
    - TO-263:Gate (G), Drain (D, Tab), Source (S)
    - TO-220:Drain (D, Tab), Source (S), Gate (G)

    3. 产品特点和优势


    - 高功率密度:IXFY8N65X2系列具有出色的功率密度,能够在紧凑的空间内实现高效能输出。
    - 易于安装:采用国际标准封装,便于安装和替换。
    - 空间节省:优化的设计使体积更小,适合在空间有限的应用中使用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 在开关模式电源和共振模式电源中提供高效的电流控制。
    - 作为DC-DC转换器中的关键组件,确保稳定的电压输出。
    - 在PFC电路中提高功率因数,减少能源损耗。
    - 控制交流和直流电机,实现精确的速度和扭矩控制。
    - 用于机器人和伺服控制系统,提升整体性能。
    - 使用建议:
    - 在使用过程中要特别注意门极电压和电流限制,避免过载损坏。
    - 定期检查散热系统,确保器件正常运行。
    - 配合其他电子元件时,注意引脚连接的正确性和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 该系列产品兼容各种标准封装和焊接工艺,易于与其他电子元器件集成。
    - 支持和服务:
    - IXYS公司提供全面的技术支持,包括详尽的文档资料和专业的技术支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:门极驱动电压不稳定。
    - 解决方案:确保门极驱动电路设计合理,增加滤波电容稳定电压。
    - 问题2:发热过高。
    - 解决方案:改善散热措施,确保散热片或冷却系统的有效性。
    - 问题3:输出电流不稳。
    - 解决方案:检查外部电路连接,确保电流路径畅通无阻。

    7. 总结和推荐


    总体而言,X2-Class HiPERFET IXY8N65X2系列是一款在高压高效率应用中表现出色的产品。它具备高功率密度、易安装、空间节省等特点,广泛应用于各种电力电子设备中。尽管初期成本较高,但其优异的性能和长久的使用寿命使得它成为一种非常值得推荐的选择。如果您需要一个在高压环境下表现卓越且可靠稳定的MOSFET,IXY8N65X2系列是理想的选择。

IXFA8N65X2参数

参数
最大功率耗散 150W(Ta)
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 450mΩ@ 4A,10V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 8A
栅极电荷 11nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 790pF@25V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFA8N65X2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFA8N65X2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFA8N65X2 IXFA8N65X2数据手册

IXFA8N65X2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 18.9232
2000+ ¥ 18.265
3000+ ¥ 17.9359
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