处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTQ96N25T

IXTQ96N25T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 625W(Tc) 30V 5V@1mA 114nC@ 10 V 1个N沟道 250V 29mΩ@ 500mA,10V 96A 6.1nF@25V TO-3P 通孔安装 15.8mm(长度)*4.9mm(宽度)
供应商型号: IXTQ96N25T
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTQ96N25T

IXTQ96N25T概述


    产品简介


    IXYS Corporation生产的IXTH96N25T、IXTQ96N25T和IXTV96N25T是N沟道增强型场效应晶体管(Power MOSFET),其额定电压为250V。这些器件适用于直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源、斩波电路、交流电机控制以及不间断电源等领域。这些MOSFET具有国际标准封装、雪崩等级、低封装电感等特点,易于驱动和保护,适合多种应用场景。

    技术参数


    | 参数 | 最大值 | 典型值 | 最小值 |
    ||
    | 额定电压 (VDSS) | 250 V
    | 漏极电流 (ID) | 96 A
    | 源漏导通电阻 (RDS(on)) | 29 mΩ
    | 雪崩耐量 | 额定
    | 工作温度范围 (TJ) | -55°C至+150°C

    产品特点和优势


    特点:
    1. 国际标准封装。
    2. 雪崩等级,确保在高能环境下稳定运行。
    3. 低封装电感,便于驱动和保护。
    优势:
    1. 易于安装。
    2. 空间节省。
    3. 高功率密度。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直流-直流转换器:IXTH96N25T等MOSFET非常适合用于需要高效能转换的应用,如电源适配器和DC-DC转换器。
    - 电池充电器:这类MOSFET因其低导通电阻和快速开关时间而广泛应用于电池充电器中。
    - 电源管理:在需要高效率和低损耗的电源管理系统中,IXTH96N25T能提供出色的性能。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑MOSFET的热性能。使用散热片和热界面材料可有效提高热管理。
    - 考虑到器件的低导通电阻,可以选择较小尺寸的散热器,从而节省空间和成本。

    兼容性和支持


    这些MOSFET与各种标准封装兼容,例如TO-247、TO-3P和PLUS220。IXYS提供了详细的技术支持文档和售后服务,用户可以在其官网获取更多资料和支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:
    Q:如何确定合适的栅极电阻?
    A:通过调节栅极电阻(RG)可以调整开关速度。一般情况下,可以通过测试来找到最适合的值,通常在2.5Ω左右。
    问题2:
    Q:如何测量源漏导通电阻(RDS(on))?
    A:可以使用万用表测量,在特定条件下(如VGS = 10V,ID = 0.5 ID25),测得的电阻值即为RDS(on)。

    总结和推荐


    IXTH96N25T、IXTQ96N25T和IXTV96N25T作为高性能的N沟道增强型MOSFET,具备卓越的热性能和可靠性。它们的高功率密度和易驱动特性使其成为多种应用的理想选择。综上所述,推荐在需要高效率和稳定性的电力电子系统中使用这些MOSFET。

IXTQ96N25T参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 96A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@1mA
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 250V
Rds(On)-漏源导通电阻 29mΩ@ 500mA,10V
最大功率耗散 625W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.1nF@25V
栅极电荷 114nC@ 10 V
长*宽*高 15.8mm(长度)*4.9mm(宽度)
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTQ96N25T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTQ96N25T数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTQ96N25T IXTQ96N25T数据手册

IXTQ96N25T封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 39.568
900+ ¥ 38.1917
1350+ ¥ 37.5036
库存: 930
起订量: 450 增量: 450
交货地:
最小起订量为:450
合计: ¥ 17805.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504