处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFN100N25

IXFN100N25

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 600W(Tc) 20V 4V@8mA 300nC@ 10V 1个N沟道 250V 27mΩ@ 500mA,10V 100A 9.1nF@25V 底座安装,贴片安装
供应商型号: LDL-IXFN100N25
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFN100N25

IXFN100N25概述

    # IXFN 100N25 Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    基本介绍
    IXFN 100N25 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由 IXYS 公司生产。该器件采用先进的 HDMOS 工艺技术,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。IXFN 100N25 属于 N 沟道增强型场效应管,支持高电压和大电流操作,适用于多种高压电力转换和控制应用。
    主要功能与应用领域
    - 主要功能:高效率的电力开关、低导通损耗、高频率开关能力。
    - 应用领域:
    - 直流-直流(DC-DC)转换器
    - 电池充电器
    - 开关模式和共振模式电源供应
    - 直流斩波器
    - 温度和照明控制

    2. 技术参数


    以下是 IXFN 100N25 的关键技术规格:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 漏源击穿电压(VDSS) 250 V |
    | 栅源电压(VGS)连续 | -20 V +20 V |
    | 栅极脉冲电压(VGS) | -30 V +30 V |
    | 漏极电流(ID,TC=25°C) 100 A
    | 峰值漏极电流(IDM,TC=25°C) 400 A |
    | 二极管反向恢复时间(trr) 250 ns
    | 源漏导通电阻(RDS(on),VGS=10V) 27 mΩ
    | 栅漏电容(Coss) 1800 pF
    其他特性还包括:
    - 极快的开关速度,适合高频应用。
    - 高可靠性,具有 avalanche 评级和高 dV/dt 支持。

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 国际标准封装:miniBLOC,铝氮化物隔离。
    - 高效率:低 RDS(on) 和快速开关特性。
    - 鲁棒设计:采用坚固的多晶硅栅极单元结构。
    市场竞争力
    - 空间节约:紧凑的设计使它成为高功率密度应用的理想选择。
    - 易用性:易于安装且可靠性高。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    IXFN 100N25 广泛应用于各类高压开关电路中,例如:
    - 在 DC-DC 转换器中作为主开关器件。
    - 在电池充电器中实现高效能的充放电管理。
    使用建议
    为了充分发挥 IXFN 100N25 的性能,在设计时应考虑以下几点:
    - 确保良好的热管理系统以避免过热损坏。
    - 合理布局 PCB,减少寄生电感和电阻的影响。
    - 使用适当的驱动电路来优化开关速度和降低功耗。

    5. 兼容性和支持


    该产品与其他符合标准的电子元件高度兼容,并且供应商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和使用这款器件。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 过热现象 | 加强散热措施,如增加散热片或风扇。 |
    | 开关速度慢 | 调整驱动电路,提供更高的门极电压。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    IXFN 100N25 功率 MOSFET 是一款性能卓越的产品,特别适合需要高效率和紧凑设计的应用场合。它的高电流承载能力和快速响应特性使其成为众多电力电子系统的理想选择。
    推荐结论
    鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐 IXFN 100N25 用于任何需要高效能功率转换的应用场景。无论是开发新项目还是升级现有系统,这款器件都能提供可靠的支持。

IXFN100N25参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.1nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@8mA
Vds-漏源极击穿电压 250V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 300nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@ 500mA,10V
配置 -
最大功率耗散 600W(Tc)
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFN100N25厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFN100N25数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFN100N25 IXFN100N25数据手册

IXFN100N25封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 167.219 ¥ 1401.2952
库存: 475
起订量: 4 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 1401.29
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336