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IXTH10P50P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个P沟道 500V 1Ω@ 5A,10V 10A 2.84nF@25V TO-247 通孔安装 16.24mm*5.3mm*21.45mm
供应商型号: IXTH10P50P
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH10P50P

IXTH10P50P概述


    产品简介


    本文介绍的是IXYS公司生产的IXTA10P50P、IXTP10P50P、IXTQ10P50P和IXTH10P50P系列P沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些MOSFET具备出色的耐冲击能力和低导通电阻(RDS(on) ≤ 1Ω),适用于各种高功率应用场合,如高侧开关、推挽放大器、直流斩波器等。它们广泛应用于自动测试设备、电流调节器等领域,提供高效能和可靠的电源管理解决方案。

    技术参数


    以下是该系列P沟道增强型功率MOSFET的主要技术参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 漏源击穿电压(VDSS) -500 V |
    | 栅源击穿电压(VGSS) | ±20 V ±30 V |
    | 漏极连续电流(ID) -10 A |
    | 峰值漏极电流(IDM) -30 A |
    | 栅漏电容(Coss) 275 pF
    | 门限电压(VGS(th)) | 2.0 V 4.5 V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 1 Ω
    | 热阻抗(RthJC) | 0.42°C/W

    产品特点和优势


    该系列产品具有多项显著的优势:
    - 国际标准封装,适用于多种应用场景。
    - 高耐压能力和低导通电阻,确保了高效的电源管理。
    - 使用坚固的PolarPTM工艺制造,提高了产品的耐用性和可靠性。
    - 低封装电感,适合高频应用。
    - 快速内置二极管,提升系统响应速度。

    应用案例和使用建议


    在实际应用中,这些MOSFET被广泛用于各类高功率应用中,如高侧开关、推挽放大器、直流斩波器等。例如,在自动测试设备中,它们可以用于控制信号路径,提供精确的电流调节。为了提高系统的可靠性和效率,建议在选择合适的工作条件时参考技术手册中提供的参数范围,并确保散热设计合理,避免过热导致损坏。

    兼容性和支持


    这些MOSFET符合国际标准封装,如TO-263、TO-247、TO-3P和TO-220,易于与其他标准电路板组件进行集成。IXYS公司为这些产品提供了详细的技术支持和售后服务,确保用户能够得到最佳的应用体验。

    常见问题与解决方案


    根据手册中的常见问题和解决方案,我们整理出以下几个常见的问题及其解决方法:
    - 问:如何避免过热?
    - 答: 确保使用适当的散热片和良好的空气流通,避免长时间超负荷运行。

    - 问:如何确定合适的栅极驱动电压?
    - 答: 根据技术手册中的参数选择合适的栅极驱动电压,通常为-10V左右。

    - 问:如何判断MOSFET是否损坏?
    - 答: 可以通过测量其导通电阻或使用万用表检查是否有短路现象。

    总结和推荐


    总体而言,IXYS公司的IXTA10P50P、IXTP10P50P、IXTQ10P50P和IXTH10P50P系列P沟道增强型功率MOSFET具备出色的技术参数和应用特性,非常适合用于高功率应用。它们在高效能、可靠性和灵活性方面表现出色,是现代电子设备中不可或缺的关键元件。因此,强烈推荐给需要高性能功率管理解决方案的工程师和技术人员。

IXTH10P50P参数

参数
最大功率耗散 300W(Tc)
FET类型 1个P沟道
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 10A
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω@ 5A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.84nF@25V
栅极电荷 50nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 500V
长*宽*高 16.24mm*5.3mm*21.45mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH10P50P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH10P50P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH10P50P IXTH10P50P数据手册

IXTH10P50P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 33.5225
900+ ¥ 32.3565
1350+ ¥ 31.7735
库存: 1900
起订量: 450 增量: 450
交货地:
最小起订量为:450
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