处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFB80N50Q2

IXFB80N50Q2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 960W(Tc) 30V 5.5V@8mA 250nC@ 10 V 1个N沟道 500V 60mΩ@ 500mA,10V 80A 15nF@25V PLUS-264-3 通孔安装 20.29mm*5.31mm*26.59mm
供应商型号: LDL-IXFB80N50Q2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFB80N50Q2

IXFB80N50Q2概述

    # IXFB80N50Q2 高性能N沟道增强型功率MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IXFB80N50Q2 是一款高性能的 N 沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由 IXYS 公司设计制造。该产品专为高频开关应用而优化,具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 60mΩ)、快速开关速度和高雪崩耐量等卓越性能。广泛应用于直流-直流转换器、开关电源、脉冲生成、激光驱动等领域。
    主要功能
    - 双金属工艺,降低栅极电阻;
    - 支持高dv/dt 驱动;
    - 快速内在整流二极管;
    - 大电流和低功耗。
    应用领域
    - 直流-直流转换器;
    - 开关模式及谐振模式电源(>500 kHz);
    - 直流斩波器;
    - 脉冲发生器;
    - 激光驱动器。

    技术参数


    以下是 IXFB80N50Q2 的关键技术参数和电气特性:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 击穿电压(BVDSS) | 500 V |
    | 栅极阈值电压(VGS(th)) | 3.0 | 4.25 | 5.5 | V |
    | 栅极漏电流(IGSS) | ±200 nA |
    | 漏极漏电流(IDSS) 5 | mA |
    | 导通电阻(RDS(on)) 60 mΩ |
    | 输入电容(Ciss) | 15 nF |
    | 输出电容(Coss) | 1610 pF |
    | 反馈电容(Crss) | 300 pF |
    | 热阻(RthJC) 0.13 °C/W |
    工作条件
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C;
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C;
    - 最大结温:150°C;
    - 最大外部引脚焊接温度:260°C。

    产品特点和优势


    特点
    1. 双金属工艺:显著降低了栅极电阻,提高了驱动效率。
    2. 高雪崩耐量:适合恶劣工作环境。
    3. 低寄生电感:易于驱动和保护。
    4. 快速反向恢复时间:优化了高频开关性能。
    优势
    1. 空间节省:采用 PLUS264TM 封装,可选夹式或弹簧安装。
    2. 高功率密度:适用于紧凑型设计。
    3. 卓越的开关性能:快速开关时间和低导通损耗。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    1. 高频开关电源:利用其快速开关能力和低导通电阻,提升转换效率。
    2. 脉冲发生器:适合作为开关元件,在毫秒级脉冲中提供高电流输出。
    使用建议
    - 散热设计:由于 RthJC = 0.13°C/W,建议使用高效散热器以确保长期稳定性。
    - 驱动电路优化:通过减小栅极驱动电阻来减少开关时间,进一步提高效率。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与主流 PCB 设计工具兼容,便于集成。
    - 支持多种工业标准封装。
    厂商支持
    - IXYS 提供详尽的技术文档和客户支持服务。
    - 提供长达 10 年的产品生命周期保障。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率不足 | 优化驱动电路设计,降低栅极电阻。 |
    | 温度过高 | 改善散热系统,增加外部散热片。 |
    | 漏电流过大 | 检查栅极和源极之间的绝缘情况。 |

    总结和推荐


    综合评估
    IXFB80N50Q2 是一款在高频开关应用中表现出色的功率 MOSFET,具有出色的开关性能、低导通电阻和强大的雪崩耐量。其双金属工艺和 PLUS264TM 封装使其成为当今市场上极具竞争力的产品。
    推荐意见
    强烈推荐 IXFB80N50Q2 在高频开关电源、激光驱动器及其他需要高效率和高可靠性的应用场景中使用。对于需要紧凑设计和卓越性能的工程师而言,这是理想的选择。

IXFB80N50Q2参数

参数
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ@ 500mA,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 15nF@25V
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 500V
栅极电荷 250nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 80A
最大功率耗散 960W(Tc)
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@8mA
长*宽*高 20.29mm*5.31mm*26.59mm
通用封装 PLUS-264-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IXFB80N50Q2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFB80N50Q2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFB80N50Q2 IXFB80N50Q2数据手册

IXFB80N50Q2封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 34.827 ¥ 291.8503
库存: 475
起订量: 19 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 291.85
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336