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IXTY4N65X2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 80W(Tc) 30V 5V@ 250µA 8.3nC@ 10 V 1个N沟道 650V 850mΩ@ 2A,10V 4A 455pF@25V TO-252AA 贴片安装 7.12mm(宽度)
供应商型号: IXTY4N65X2
供应商: 国内现货
标准整包数: 350
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTY4N65X2

IXTY4N65X2概述

    650V Ultra Junction X2-Class POWER MOSFETs

    产品简介


    650V Ultra Junction X2-Class POWER MOSFETs 是由IXYS公司(纳斯达克代码:IXYS)开发的一系列功率半导体器件。这些器件专为提高功率效率和降低功耗而设计,适用于电力因数校正(PFC)电路和开关电源等高效率、高速功率转换应用。具体来说,它们可用于各种应用领域,如PFC电路、开关模式和谐振模式电源供应、直流-直流转换器、交流和直流电机驱动、机器人和伺服控制、太阳能逆变器以及照明控制。

    技术参数


    650V Ultra Junction X2-Class POWER MOSFETs 的技术参数如下:
    | 参数 | 描述 |

    | 额定电压(VDSS) | 650V |
    | 最大连续漏极电流(ID) | 2A - 120A |
    | 最大漏源导通电阻(RDS(on)) | 0.024Ω 至 2.3Ω |
    | 输入电容(Ciss) | 180pF 至 13600pF |
    | 典型门极电荷(Qg(on)) | 4.3nC 至 240nC |
    | 典型反向恢复时间(trr) | 137ns 至 450ns |
    | 最大热阻(RthJC) | 0.1°C/W 至 3.9°C/W |
    | 功率等级(PD) | 55W 至 1250W |

    产品特点和优势


    650V Ultra Junction X2-Class POWER MOSFETs 的主要特点是低导通电阻和低栅极电荷,同时具有较高的 dv/dt 耐压能力和抗雪崩击穿能力。这些特性使得它们在轻载时具有更高的效率,减少了导通损耗和开关损耗。此外,它们还具备较低的封装电感和国际标准尺寸封装,便于安装和节省空间。其主要优势包括:
    - 更高的效率
    - 更高的功率密度
    - 安装简便
    - 空间节省

    应用案例和使用建议


    这些MOSFET器件已经在多种应用场景中得到验证。例如,在图2所示的刷式直流电机驱动电路中,一个650V X2-Class Power MOSFET(IXTK102N65X2)被用作主开关元件,以确保高效的功率转换操作。在图3中展示的PFC电路中,另一个650V X2-Class Power MOSFET(IXTX102N65X2)被用作开关,以实现高效能。对于图1所示的开关模式电源(SMPS),两个Ultra Junction X2-Class Power MOSFETs(IXTN102N65X2)成对使用,形成LLC半桥谐振转换器阶段,确保快速、紧凑且节能的功率转换操作。
    建议在使用过程中注意散热管理,选择合适的驱动电路,以确保最佳的性能表现。

    兼容性和支持


    这些MOSFET器件可与其他符合国际标准尺寸封装的电子元件和设备兼容。IXYS公司提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利地进行安装和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确地安装这些MOSFET?
    - 解决方案: 确保使用正确的螺丝固定方式,避免过紧或过松,确保良好的热传导路径。

    2. 问题:在高频开关时出现异常噪声,如何处理?
    - 解决方案: 检查PCB布局,减少杂散电感,使用适当的旁路电容。

    总结和推荐


    综上所述,650V Ultra Junction X2-Class POWER MOSFETs 是一款高性能、高可靠性的功率半导体器件。它不仅具备优异的技术参数,还拥有广泛的适用范围和多样化的封装形式。鉴于其在高效率和可靠性方面的卓越表现,我们强烈推荐在需要高效率、高速度功率转换的应用中使用此产品。

IXTY4N65X2参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ@ 2A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 455pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 8.3nC@ 10 V
最大功率耗散 80W(Tc)
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
通道数量 -
长*宽*高 7.12mm(宽度)
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTY4N65X2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTY4N65X2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTY4N65X2 IXTY4N65X2数据手册

IXTY4N65X2封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
350+ ¥ 11.4239
700+ ¥ 11.0265
1050+ ¥ 10.8278
库存: 2800
起订量: 350 增量: 350
交货地:
最小起订量为:350
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