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IXTQ50N25T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 400W(Tc) 30V 5V@1mA 78nC@ 10 V 1个N沟道 250V 60mΩ@ 25A,10V 50A 4nF@25V TO-3P 通孔安装 15.8mm*4.9mm*20.3mm
供应商型号: IXTQ50N25T
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTQ50N25T

IXTQ50N25T概述


    产品简介


    IXTY 系列 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET
    IXTA50N25T, IXTQ50N25T, IXTP50N25T, IXTH50N25T
    这些产品是 IXYS 公司生产的 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET,具有出色的性能和可靠性。它们广泛应用于各种电子系统中,如直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源和不间断电源等。其高电流处理能力和低 RDS(on) 特性使其在高效能电力电子应用中表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 最大值 | 特征值范围 |
    |
    | VDSS(漏源电压) | 250 V | 250 V |
    | ID25(最大连续漏极电流) | 50 A | 50 A |
    | RDS(on)(导通电阻) | ≤ 60 mΩ | 60 mΩ |
    | TJ(结温) | -55 ... +150 °C | -55 ... +150 °C |
    | PD(耗散功率) | 400 W | 400 W |
    其他特征参数还包括:
    - Ciss(输入电容):4000 pF
    - Coss(输出电容):410 pF
    - Crss(反向传输电容):60 pF
    - td(on)(开通延迟时间):14 ns
    - tr(上升时间):25 ns
    - td(off)(关断延迟时间):47 ns
    - tf(下降时间):25 ns

    产品特点和优势


    1. 高电流处理能力:能够处理高达 50A 的连续漏极电流,适用于大功率应用。
    2. 低导通电阻:导通电阻 RDS(on) 低至 60 mΩ,减少了功耗并提高了效率。
    3. 快速内部整流器:确保了高效的开关操作。
    4. 高功率密度:由于体积小且重量轻,适合紧凑型设计。
    5. 易于安装:采用标准封装,方便用户安装。
    6. 节省空间:相比同类产品,可以更好地利用有限的空间。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. DC-DC 转换器:在高功率转换应用中表现出色,例如在通信设备中提供稳定的电源输出。
    2. 电池充电器:可实现高效快速充电,减少充电时间。
    3. 开关模式电源:在各种开关模式电源中用于提高效率和可靠性。
    使用建议
    - 散热管理:鉴于其高功率密度,需要良好的散热设计以避免过热。
    - 驱动电路设计:根据其开关特性和输入电容参数设计合适的驱动电路,以保证最佳的开关性能。
    - 兼容性测试:在应用前进行必要的测试,以确保与现有系统的兼容性。

    兼容性和支持


    这些产品适用于多种封装形式(如 TO-220、TO-263、TO-3P 和 TO-247),确保了与各种电路板和应用的兼容性。IXYS 提供详尽的技术文档和支持,包括详细的安装指南、电气特性说明和故障排除手册。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何正确安装这些 MOSFET?
    - 答:请参考安装指南,遵循正确的安装步骤。注意确保良好的散热,并避免过大的扭矩。
    2. 问:如果出现过热情况怎么办?
    - 答:检查散热系统的设计是否合理。如果需要,增加散热片或冷却风扇以提高散热效果。
    3. 问:在高频开关应用中,如何减少损耗?
    - 答:选择合适的栅极电阻(RG),并优化驱动电路设计以降低开关损耗。

    总结和推荐


    IXTY 系列 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET 是一款高性能、可靠的产品,特别适合高功率密度的应用需求。其卓越的电气特性和易用性使其成为许多工业和商业应用的理想选择。我们强烈推荐这些产品用于需要高效能和可靠性的应用场景。
    如果您对上述内容有任何疑问或需要更多技术支持,请联系 IXYS 官方技术支持团队。

IXTQ50N25T参数

参数
配置 独立式
Id-连续漏极电流 50A
Vds-漏源极击穿电压 250V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ@ 25A,10V
栅极电荷 78nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 400W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@1mA
长*宽*高 15.8mm*4.9mm*20.3mm
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTQ50N25T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTQ50N25T数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTQ50N25T IXTQ50N25T数据手册

IXTQ50N25T封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 12.0052
900+ ¥ 11.5876
1350+ ¥ 11.3788
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