处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTX22N100L

IXTX22N100L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 700W(Tc) 30V 5V@ 250µA 270nC@ 15 V 1个N沟道 1KV 600mΩ@ 11A,20V 22A 7.05nF@25V PLUS-247-3 通孔安装 16.13mm*5.21mm*21.34mm
供应商型号: ZT-IXTX22N100L
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTX22N100L

IXTX22N100L概述

    IXYS Corporation N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXTK22N100L 和 IXTX22N100L 是由IXYS公司生产的N-Channel Enhancement Mode MOSFET。这些功率MOSFET设计用于线性操作,具有雪崩额定值,适用于各种高功率应用。它们广泛应用于可编程负载、电流调节器、DC-DC转换器、电池充电器、直流斩波器和温度及照明控制等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 最大漏源电压(VDSS):1000V
    - 最大栅源电压(VGSS):±30V(连续),±40V(瞬时)
    - 最大漏极电流(ID):22A(TC = 25°C),50A(脉冲宽度受TJM限制)
    - 脉冲雪崩能量(EAS):1.5J(TC = 25°C)
    - 功耗(PD):700W(TC = 25°C)
    - 工作结温(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 储存温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(BVDSS):1000V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):3.0V 至 5.5V
    - 栅漏电荷(Qg):270nC(ON状态)
    - 门电荷(Qgs):70nC
    - 驱动电阻(Rg):2Ω(外部)
    - 热阻:
    - 结至外壳热阻(RthJC):0.18°C/W
    - 结至散热器热阻(RthCS):0.15°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 易于安装:提供多种安装选项,如TO-264和PLUS247封装。
    - 节省空间:紧凑的设计使其能够在有限的空间内提供高性能。
    - 高功率密度:适合需要高功率输出的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 可编程负载:可以用于需要精细调整负载的应用,如测试设备。
    - 电流调节器:适用于电源设计中对电流进行精确控制的应用。
    - 温度和照明控制:可用于温度传感器或LED驱动电路中。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热,确保温度不超过最高限值。
    - 确保门极驱动电路的稳定性,避免过高的门极电压导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:支持广泛的工业标准接口,易于与其他电子元器件集成。
    - 支持和服务:IXYS公司提供详尽的技术支持和维护服务,包括快速响应的客户服务和在线资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:漏电流过大。
    - 解决方案:检查并确保门极驱动电路稳定,必要时增加外部门极电阻。
    - 问题2:功耗过高。
    - 解决方案:增加散热措施,确保良好的空气流通或使用散热片。

    7. 总结和推荐


    总体来说,IXTK22N100L 和 IXTX22N100L 是一款高性能的N-Channel Enhancement Mode MOSFET,特别适合于需要高功率密度和线性操作的应用。其易于安装、紧凑的设计和高可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。因此,我强烈推荐此款MOSFET用于高功率应用场合。

IXTX22N100L参数

参数
最大功率耗散 700W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ@ 11A,20V
栅极电荷 270nC@ 15 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.05nF@25V
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 1KV
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
配置 独立式
Id-连续漏极电流 22A
通道数量 1
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.34mm
通用封装 PLUS-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTX22N100L厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTX22N100L数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTX22N100L IXTX22N100L数据手册

IXTX22N100L封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 49.5072 ¥ 414.8705
库存: 0
起订量: 2 增量: 30
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336