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JANTX2N6849U

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 25W 20V 1个P沟道 100V 345mΩ 6.5A LLCC 贴片安装
供应商型号: JANTX2N6849U
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) JANTX2N6849U

JANTX2N6849U概述

    电子元器件产品技术手册:IRFE9130 P-Channel HEXFET® MOSFET

    产品简介


    IRFE9130是一款P-通道HEXFET®功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高电流密度的应用场合。其设计旨在提供表面贴装功能,并作为TO-39封装的替代品。该产品具有小尺寸、轻重量和优异的热性能,适合应用于开关电源、电机驱动系统以及工业控制等领域。

    技术参数


    - 最大绝对额定值:
    - 持续漏极电流(@ VGS = -10V, TC = 25°C):-6.5A
    - 持续漏极电流(@ VGS = -10V, TC = 100°C):-4.1A
    - 脉冲漏极电流:25A
    - 最大耗散功率(@ TC = 25°C):25W
    - 温度系数:0.20W/°C
    - 击穿电压(VGS = 0V, ID = -1.0mA):-100V
    - 重复雪崩能量:165mJ
    - 单脉冲雪崩能量:165mJ
    - 峰值二极管恢复速率(dv/dt):-30V/ns
    - 工作结温范围:-55°C至150°C
    - 热阻抗:
    - 结到外壳(RthJC):5.0°C/W
    - 结到PCB板(RthJ-PCB):19°C/W(焊接在铜覆PCB板上)
    - 源漏二极管特性:
    - 源电流(IS):-6.5A
    - 脉冲源电流(ISM):-25A
    - 二极管正向电压(VSD):-4.3V(Tj = 25°C, IS = -6.5A, VGS = 0V)
    - 反向恢复时间(trr):250ns(Tj = 25°C, IF = -6.5A, di/dt ≤-100A/µs)
    - 反向恢复电荷(QRR):3.0µc(VDD ≤ -50V)

    产品特点和优势


    1. 表面贴装:便于自动化生产,提高装配效率。
    2. 小尺寸:占用空间少,便于设计高密度电路板。
    3. 替代TO-39封装:提供了更紧凑的封装选项。
    4. 密封结构:增强环境适应能力,提高可靠性和使用寿命。
    5. 动态dv/dt评级:适用于高速开关应用。
    6. 雪崩能量等级:能承受更高的瞬时能量冲击,增加可靠性。
    7. 简单的驱动要求:降低对驱动电路的要求,简化系统设计。
    8. 轻重量:减轻整体系统的重量,尤其适合移动应用。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:利用其高雪崩能量等级,可以有效吸收瞬态电压尖峰,保护电源系统。
    - 电机驱动系统:适合作为逆变器或斩波器的开关元件,提高系统效率。
    - 工业控制:用于各种工业自动化控制设备中,提高控制精度和可靠性。
    使用建议:
    - 确保电路设计满足产品的最大额定值,特别是温度和电流方面。
    - 使用合适的驱动电阻(如建议的7.5Ω),以优化开关速度和减少损耗。
    - 针对不同的工作环境,合理选择散热措施,确保产品长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRFE9130与大多数标准PCB布局兼容,可以直接替换传统封装产品。
    - 支持和服务:国际整流器公司(International Rectifier)提供详尽的技术文档、应用指南和支持服务,帮助客户顺利集成产品并解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的温度导致器件损坏。
    - 解决方案:检查散热设计,确保良好散热。必要时,增加外部散热片或强制风冷。

    - 问题2:切换时产生过多的电磁干扰。
    - 解决方案:使用屏蔽线缆,尽量减小杂散电感,合理布局电路板走线。

    总结和推荐


    综上所述,IRFE9130是一款性能卓越、应用广泛的P-通道MOSFET。其紧凑的封装、优异的热性能和良好的电气特性使其成为许多高性能应用的理想选择。对于需要高效、可靠开关器件的设计工程师而言,IRFE9130是一个非常值得推荐的产品。

JANTX2N6849U参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 345mΩ
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 25W
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 6.5A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 LLCC
安装方式 贴片安装
应用等级 军用级

JANTX2N6849U厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

JANTX2N6849U数据手册

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JANTX2N6849U封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 609.5
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