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IRFZ24NS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.8W 20V 1个N沟道 55V 70mΩ 17A D2PAK 贴片安装
供应商型号: LDL-IRFZ24NS
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRFZ24NS

IRFZ24NS概述

    # IRFZ24NS/L HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IRFZ24NS/L 是一款高性能的HEXFET® Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),由International Rectifier公司生产。它是一种适用于高效率和高速开关的电子元器件,广泛应用于工业控制、通信设备、电源管理等领域。该产品分为两种封装形式:表面贴装型(IRFZ24NS)和低轮廓通孔型(IRFZ24NL),以满足不同的设计需求。
    主要功能
    - 极低的导通电阻(RDS(on) = 0.07Ω)
    - 高击穿电压(VDSS = 55V)
    - 快速开关速度
    - 全面的雪崩保护
    应用领域
    - 开关电源
    - DC-DC转换器
    - 驱动电机
    - 网络通信设备
    - 汽车电子系统

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 连续漏极电流(ID) | - | 17 | - | A |
    | 最大脉冲漏极电流(IDM)| - | - | 68 | A |
    | 击穿电压(V(BR)DSS) | 55 | - | - | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | - | 0.07 | - | Ω |
    | 栅极阈值电压(VGS(th))| 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 工作温度范围(TJ) | -55 | - | 175 | °C |
    电气特性
    - 工作环境温度范围:-55°C 至 175°C
    - 热阻:RθJC = 3.3°C/W, RθJA = 40°C/W
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):71 mJ
    - 反复雪崩能量(EAR):4.5 mJ
    - 栅极电荷(Qg):20 nC

    产品特点和优势


    特点
    1. 先进工艺技术:采用第五代HEXFET技术,具有超低导通电阻和高效能。
    2. 高速开关:适合高频应用,减少功耗和热损耗。
    3. 全面雪崩保护:确保在恶劣环境下工作的可靠性。
    4. 低热阻设计:适合高电流密度应用。
    优势
    - 高性能:卓越的导通电阻和快速开关速度,提升系统效率。
    - 高可靠性:坚固耐用的设计,适应各种极端条件。
    - 易于集成:多种封装选项,便于不同应用场景下的设计和安装。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关电源:IRFZ24NS/L 作为主开关管,用于DC-DC转换器中,实现高效的能量转换。
    2. 电机驱动:利用其快速开关能力,驱动直流或步进电机,提高系统的动态响应。
    3. 通信设备:在通信模块中作为功率放大器,提供稳定的信号输出。
    使用建议
    - 散热管理:确保良好的热设计,特别是在高电流和高温环境中使用时。
    - 驱动电路优化:选择合适的栅极驱动电阻(RG),以平衡开关速度和功耗。
    - 布局设计:采用低杂散电感的PCB设计,降低EMI干扰。

    兼容性和支持


    兼容性
    IRFZ24NS/L 与多种主流控制器和驱动器兼容,适用于标准的电源管理和控制系统。
    支持
    - 提供详细的应用文档和技术支持。
    - 厂商技术支持团队随时解答用户疑问。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整栅极驱动电阻(RG),增加驱动电流。 |
    | 系统过热 | 改善散热设计,增加散热片或风扇。 |
    | 漏电流过大 | 检查焊接质量和外围电路连接。 |

    总结和推荐


    综合评估
    IRFZ24NS/L HEXFET® Power MOSFET 是一款性能优异的功率半导体器件,凭借其先进的工艺技术和可靠的设计,非常适合现代电力电子应用。它不仅具备出色的导通电阻和快速开关能力,还拥有强大的雪崩保护功能,使其成为市场上极具竞争力的产品。
    推荐结论
    强烈推荐使用 IRFZ24NS/L 在需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。无论是工业控制还是消费电子,这款产品都能为用户提供卓越的性能和价值。

IRFZ24NS参数

参数
Id-连续漏极电流 17A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 70mΩ
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 3.8W
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 55V
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
应用等级 军用级

IRFZ24NS厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRFZ24NS数据手册

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IRFZ24NS封装设计

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