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IRLML6402TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.3W 12V 7.8nC@ 4.5V 1个P沟道 20V 65mΩ 3.7A 740pF SOT-23 贴片安装
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标准整包数: 0
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF概述


    产品简介


    HEXFET Power MOSFET
    HEXFET Power MOSFET是由国际整流器公司(International Rectifier)设计和制造的一种P沟道功率场效应晶体管。这些MOSFET采用先进的加工技术来实现每单位硅面积极低的导通电阻(RDS(on)),从而提供了极高的效率和可靠性。HEXFET Power MOSFET因具备快速开关能力和坚固耐用的设计而广为人知,适用于电池管理和负载管理的应用场景。
    主要特点
    - 极低的导通电阻
    - P沟道MOSFET
    - SOT-23封装,行业最小的占地面积
    - 低轮廓(<1.1mm)
    - 支持卷带包装
    - 快速开关能力
    - 无铅,符合RoHS标准,无卤素
    应用领域
    - 便携式电子产品
    - PCMCIA卡
    - 电池和负载管理系统
    - 其他需要高效且可靠电源管理的场合

    技术参数


    工作参数
    - 漏源电压 (VDS):-20 V
    - 连续漏电流 (ID):-3.7 A(@ TA = 25°C);-2.2 A(@ TA = 70°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):-22 A
    - 功率耗散 (PD):1.3 W(@ TA = 25°C);0.8 W(@ TA = 70°C)
    - 线性降额系数:0.01 W/°C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):11 mJ
    电气特性
    - 栅源电压 (VGS):± 12 V
    - 阈值电压 (VGS(th)):-0.40 V至-1.2 V
    - 反向恢复时间 (trr):29 ns 至 43 ns
    - 总栅极电荷 (Qg):8.0 nC 至 12 nC

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低轮廓设计:厚度小于1.1mm,适用于空间受限的应用环境,如便携式电子产品和PCMCIA卡。
    - 超低导通电阻:在典型条件下仅为0.065Ω,极大提高了能效。
    - SOT-23封装:提供了行业最小的封装尺寸,节省PCB空间。
    - 快速开关能力:减少开关损耗,提高整体效率。
    市场竞争力
    - 高可靠性:通过先进的加工技术和坚固的设计,确保长期稳定运行。
    - 环境友好:无铅,符合RoHS标准,无卤素,符合环保要求。
    - 高性能:出色的电气特性,如低导通电阻和高雪崩能量,使其适用于多种严苛的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池管理系统:HEXFET Power MOSFET在电池管理系统中发挥重要作用,通过调节电池放电和充电过程中的电流,保证电池的稳定运行。
    - 便携式电子产品:因其低轮廓和小体积的特点,适合用于智能手机和平板电脑等便携式设备的电源管理。
    使用建议
    - 散热设计:由于高功耗,需要良好的散热设计以确保器件安全运行。可以通过增加散热片或使用散热膏来提升散热效果。
    - 选择合适的驱动电路:为了充分发挥其快速开关的优势,建议使用具有低导通电阻的栅极驱动器。

    兼容性和支持


    兼容性
    - HEXFET Power MOSFET支持SOT-23封装,与多种现有的印刷电路板设计兼容。它还支持卷带包装,方便自动化生产和组装。
    支持和维护
    - 国际整流器公司提供详细的技术文档和应用指南,以帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,他们还提供专业的技术支持和售后服务,帮助用户解决在使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何避免过热?
    解决方案:确保散热良好,可以使用散热片或者散热膏,并合理规划PCB布局,以提高散热效率。
    问题2:栅极驱动不稳定导致的导通延迟问题?
    解决方案:选用合适的栅极驱动器,尽量减小栅极到驱动器之间的阻抗,以减少驱动延迟。

    总结和推荐


    综合评估
    HEXFET Power MOSFET凭借其低导通电阻、快速开关能力和坚固耐用的设计,在电池管理和负载管理应用中表现出色。它的低轮廓设计使其特别适用于便携式电子产品和PCMCIA卡。其无铅和RoHS兼容特性也使得其在市场上更具竞争力。
    推荐结论
    鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用HEXFET Power MOSFET。无论是作为电池管理系统的组件,还是在其他需要高效电源管理的应用场景中,它都是一个理想的选择。

IRLML6402TRPBF参数

参数
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 740pF
Id-连续漏极电流 3.7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 7.8nC@ 4.5V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 1.3W
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRLML6402TRPBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRLML6402TRPBF数据手册

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IRLML6402TRPBF封装设计

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