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IRFS4227PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 330W 30V 1个N沟道 200V 26mΩ 62A D2PAK 贴片安装
供应商型号: LDL-IRFS4227PBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRFS4227PBF

IRFS4227PBF概述

    # IRFS4227PbF HEXFET® Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本信息
    IRFS4227PbF 和 IRFSL4227PbF 是由国际整流器公司(International Rectifier,简称 IR)生产的N沟道HEXFET®功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。这种晶体管专为高性能开关应用设计,例如等离子显示面板(PDP)的维持电路、能量回收电路以及旁路开关应用。
    主要功能
    该产品具备以下核心功能:
    - 高重复峰值电流能力:能够支持可靠操作。
    - 快速开关特性:短的关断和导通时间提高了整体效率。
    - 高工作温度:可在高达175℃的工作结温下运行,增强了耐用性。
    - 低功耗设计:具有低静态导通电阻和重复雪崩能量能力。
    应用领域
    该器件广泛应用于各种开关电源设计,特别是针对高效率要求的应用,如:
    - 等离子显示面板驱动
    - 开关稳压器
    - 能量回收系统
    - 多种高频逆变器和电机控制场合

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | BVDSS(击穿电压) | 200 | —— | —— | V |
    | RDS(on)(导通电阻) | —— | 22 | 26 | mΩ |
    | VGS(th)(门限电压) | 3.0 | —— | 5.0 | V |
    | Qg(总栅极电荷) | —— | 70 | 98 | nC |
    | Ciss(输入电容) | —— | 4600 | —— | pF |
    | EAS(单脉冲雪崩能量) | —— | 240 | —— | mJ |
    | IRP(重复峰值电流) | 130 | —— | —— | A |
    | TJ(结温范围) | -40 | —— | 175 | °C |

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 先进的工艺技术:采用创新的制程技术以减少导通损耗并提升热稳定性和可靠性。
    2. 优化的参数设置:专门针对PDP、能量回收及旁路开关等特定应用场景进行了优化。
    3. 出色的耐久性:重复雪崩能力使其适用于恶劣工作环境。
    4. 高效能表现:具有较低的开关损耗和短上升/下降时间,适合高频开关场景。
    市场竞争力
    IRFS4227PbF 在市场上以其高效的性能、高可靠性及广泛的应用兼容性脱颖而出。它特别适用于需要高功率密度和小体积设计的现代电子产品。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    - 等离子电视驱动:用于维持等离子显示屏的稳定工作。
    - 电源转换模块:作为高频开关中的关键组件。
    - 能源管理系统:适用于可再生能源系统的储能管理和能量分配。
    使用建议
    1. 散热管理:由于高功率密度,需要良好的散热设计,尤其是当长时间处于高温环境时。
    2. 电路布局优化:合理规划电路板上的走线长度,以减少寄生电感的影响。
    3. 配合测试工具:利用官方提供的测试电路图和波形进行产品评估,确保正确选择工作条件。

    兼容性和支持


    兼容性
    - IRFS4227PbF 可直接替换市场上其他同规格的N沟道功率MOSFET。
    - 与多种开发平台兼容,支持主流的焊接技术和设计规范。
    支持和服务
    - 官方网站提供详细的设计指南和技术文档。
    - 客户技术支持团队随时响应客户需求,解决应用中的技术问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 检查散热片安装是否良好;调整工作负载分布。 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查是否超过最大额定结温;重新校准驱动电路。 |
    | 雪崩保护功能未触发 | 检查雪崩电压阈值设定是否合理;检查外部保险丝配置。 |

    总结和推荐


    综合评估
    IRFS4227PbF HEXFET® 功率MOSFET 以其卓越的性能、可靠性和适应性,成为工业级应用的理想选择。它的关键优势在于其在高温下的稳定性和高效的电学特性。
    推荐使用
    对于需要高性能功率开关的工程师和设计师,IRFS4227PbF 是一个非常值得推荐的产品。无论是开发等离子显示器、开关电源还是其他高功率应用,这款器件都能提供优异的表现和支持。

IRFS4227PBF参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 62A
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 26mΩ
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 330W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级

IRFS4227PBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRFS4227PBF数据手册

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INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) INTERNATIONAL RECTIFIER IRFS4227PBF IRFS4227PBF数据手册

IRFS4227PBF封装设计

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