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IRF7413

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W 1个N沟道 11mΩ 58A SOIC 导线安装,贴片安装
供应商型号: LDL-IRF7413
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRF7413

IRF7413概述


    产品简介


    该电子元器件是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于SO-8封装形式。它具备低导通电阻(RDS(on))、高电流处理能力以及快速开关性能,广泛应用于开关电源、电机驱动、LED驱动及DC-DC转换器等领域。其设计特点在于满足高速开关操作需求,同时兼顾散热性能与可靠性。

    技术参数


    以下是根据技术手册提取的关键技术参数:
    | 参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 漏极至源极电压(VDS) | V | ––– | ––– | 30 |
    | 栅极至源极电压(VGS) | V | ––– | 10 | 20 |
    | 持续漏极电流(ID) | A | ––– | 7.3 | 13 |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | A | ––– | ––– | 58 |
    | 电源耗散(PD) | W | ––– | ––– | 260 |
    | 击穿电压(V(BR)DSS) | V | 30 | ––– | ––– |
    | 导通电阻(RDS(on)) | Ω | ––– | 0.011 | 0.018 |
    | 热阻抗(RθJA) | °C/W | ––– | 50 | ––– |
    | 开启延迟时间(td(on)) | µs | ––– | 8.6 | ––– |
    | 关断延迟时间(td(off)) | µs | ––– | 52 | ––– |
    | 上升时间(tr) | µs | ––– | 50 | ––– |
    | 下降时间(tf) | µs | ––– | 46 | ––– |
    其他特性包括:
    - 支持的栅极电荷(Qg):52~79 nC;
    - 输入电容(Ciss):1800 pF;
    - 输出电容(Coss):680 pF;
    - 反向转移电容(Crss):240 pF;
    - 雪崩耐受能量(EAS):典型值1.1 mJ;
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C。

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):在标准测试条件下,RDS(on)低至11 mΩ,这使得器件在高效功率转换应用中表现出色。
    2. 高效率和低功耗:由于出色的开关特性和低导通损耗,非常适合高频开关应用。
    3. 坚固耐用的设计:具有出色的雪崩耐受能力,保证在恶劣环境中长期稳定运行。
    4. 快速开关速度:上升时间和下降时间分别为50 µs和46 µs,适合高速开关需求。
    5. 宽工作温度范围:适应各种严苛环境下的使用需求。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    1. 开关电源:用于提高效率并降低热损耗。
    2. 电机驱动:提供高电流驱动能力和快速开关速度。
    3. LED驱动:可实现高效电流控制。
    4. DC-DC转换器:支持宽输入电压范围和高开关频率。
    使用建议:
    - 为确保最佳性能,建议将RDS(on)最小化以减少功率损耗。
    - 设计中需考虑热管理,特别是在高功率密度情况下,可通过添加散热片或使用风扇进行辅助散热。
    - 对于高速开关应用,注意避免寄生电感带来的影响,必要时可以加入适当的缓冲电路。

    兼容性和支持


    此MOSFET符合SO-8封装标准,适用于大多数通用插座和PCB设计。厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的产品文档、样品申请以及在线技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备过热导致性能下降
    解决方案:检查热管理系统是否完善,确保良好的空气流通和有效的散热措施。
    2. 问题:开关波形失真
    解决方案:检查驱动电路设计,适当调整驱动电阻值(如设置为2.0Ω至6.2Ω)。
    3. 问题:噪声过大
    解决方案:在电路设计中加入滤波器,减少干扰信号的影响。

    总结和推荐


    总体来看,这款MOSFET凭借其低导通电阻、快速开关速度和广泛的适用性,在高效能电子系统设计中表现优异。它不仅满足常规应用需求,还展现出一定的鲁棒性和灵活性。因此,我们强烈推荐这款产品作为高效能开关电路的理想选择。

IRF7413参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 58A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 独立式withbuilt-indiode
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 2.5W
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ
通用封装 SOIC
安装方式 导线安装,贴片安装

IRF7413厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRF7413数据手册

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INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7413 IRF7413数据手册

IRF7413封装设计

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