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IRFR1N60A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 36W 600V
供应商型号: LDL-IRFR1N60A
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRFR1N60A

IRFR1N60A概述


    产品简介


    产品类型: HEXFET® 功率 MOSFET
    主要功能:
    - 作为开关模式电源(SMPS)的核心元件,提供高效的电流控制能力。
    - 可应用于不间断电源(UPS)、功率因数校正(PFC)等领域。
    - 高可靠性、低导通电阻和快速开关性能使其在各种高功率应用中表现出色。
    应用领域:
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 不间断电源(UPS)
    - 功率因数校正(PFC)
    - 低功耗单管反激变换器设计

    技术参数


    | 参数 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 连续漏极电流(@ TC = 25°C) | 1.4 | A |
    | 连续漏极电流(@ TC = 100°C) | 0.89 | A |
    | 脉冲漏极电流(峰值) | 5.6 | A |
    | 功耗(@ TC = 25°C) | 36 | W |
    | 线性降额因子 | 0.28 | W/°C |
    | 栅源电压 | ±30 | V |
    | 峰值电容恢复速率 | 3.8 | V/ns |
    | 工作结温范围 | -55 至 +150 | °C |
    其他关键参数:
    - 最大漏源击穿电压:600V
    - 导通电阻(最大值):7.0Ω
    - 栅阈值电压范围:2.0 - 4.0V
    - 有效输出电容(典型值):130pF

    产品特点和优势


    1. 高性能与稳定性:
    - 支持高达600V的工作电压,具有优异的耐压性能。
    - 极低的导通电阻(RDS(on)),减少能耗并提升效率。
    - 快速的开关速度和强大的栅极驱动能力,适配高速开关需求。
    2. 高可靠性设计:
    - 经过全面测试的雪崩耐受能力和重复性(EAS和EAR),保障长时间稳定运行。
    - 具备优秀的动态dv/dt鲁棒性,降低瞬态噪声的影响。
    3. 便捷的应用设计:
    - 低门极电荷(Qg)有助于简化驱动电路设计。
    - 小型封装(如D-Pak和I-Pak),易于安装和布局优化。
    4. 广泛适应性:
    - 支持广泛的温度范围(-55至+150°C),适合恶劣环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 开关电源中用于实现高效的能量转换。
    - UPS系统中作为核心开关器件,保证负载供电的连续性。
    - PFC电路中用于提高功率因数并减少谐波失真。
    使用建议:
    - 在高频开关中,需注意热管理,确保结温不超过150°C。
    - 使用推荐的 PCB 布局和焊接工艺(参考应用文档 AN-994),以获得最佳性能。
    - 选择合适的栅极驱动电路以匹配器件的快速开关特性。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与常见的 PCB 材料(如 FR-4 和 G-10)高度兼容。
    - 与多数工业标准焊接和组装流程一致。
    支持:
    - 厂商提供详细的技术文档和应用指南,如 AN-994。
    - 专业的技术支持团队随时解答客户疑问,确保产品顺利集成到系统中。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 减少栅极驱动电阻以加快开关速度 |
    | 散热不佳 | 加强散热设计或增加外部风扇 |
    | 工作温度超出范围 | 检查系统热管理设计 |
    | 输出电流不稳定 | 检查输入电压和负载连接 |

    总结和推荐


    综合评估:
    - IRFR1N60A 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,特别适用于高频、高温和大功率应用场合。
    - 其低导通电阻、快速开关特性和高耐用性使它成为市场上极具竞争力的产品。
    推荐使用:
    - 强烈推荐用于需要高效能和高稳定性的开关电源设计中。
    - 适合要求长期可靠性且需应对极端工作条件的工业级应用场景。
    如需进一步技术支持,请访问官方网站 www.irf.com 查询更多资源。

IRFR1N60A参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 36W

IRFR1N60A厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRFR1N60A数据手册

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IRFR1N60A封装设计

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