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IPD60R3K4CE

产品分类: 场效应管(MOSFET)
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD60R3K4CE

IPD60R3K4CE概述


    产品简介


    基本介绍
    IPD60R3K4CE、IPU60R3K4CE 和 IPS60R3K4CE 是 Infineon Technologies 开发的 CoolMOS CE 系列 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。CoolMOS CE 技术基于超级结原理,专为消费电子和照明市场设计,以提供高性能而具有成本效益的解决方案。此系列 MOSFET 具备超低损耗和极高的耐压能力,广泛应用于功率因数校正(PFC)阶段、硬开关 PWM 阶段和共振开关阶段,适用于 PC 银行、适配器、液晶电视(LCD & PDP TV)及室内照明等领域。

    技术参数


    以下是这些 MOSFET 的关键技术参数:
    - 额定电压 (VDS):最大可达 650 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):典型值为 3.4 Ω,最大值为 3.40 Ω
    - 连续漏极电流 (ID):2.6 A(TC=25°C),1.6 A(TC=100°C)
    - 总栅极电荷 (Qg):4.6 nC
    - 单脉冲雪崩能量 (Eoss@400V):0.57 μJ
    - 热阻(结到壳)(RthJC):4.26°C/W
    - 热阻(结到环境)(RthJA):在 SMD 版本上为 35 到 45°C/W(取决于 PCB 尺寸和铜面积)

    产品特点和优势


    这些 MOSFET 的主要特点是:
    - 极低损耗:得益于极低的 FOM(电阻电容)值,使得功耗降至最低。
    - 高抗压能力:可以承受高达 650V 的电压。
    - 易于使用和驱动:简化了驱动电路的设计。
    - 环保材料:无铅镀层,无卤素模塑化合物。
    - 高可靠性:符合标准等级应用的要求,具备高抗雪崩和高速开关能力。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 广泛应用于多种电子产品中,如个人电脑(PC)银盒、适配器、LCD 和 PDP 电视,以及室内照明系统。针对不同的应用需求,以下是一些建议:
    - 并联使用:建议使用磁珠连接到门极或分立的“推拉”电路以提高稳定性。
    - 散热管理:由于高热阻(RthJA),需要有效的散热措施来保持良好的性能。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 与现有的一些标准封装兼容。Infineon Technologies 提供详细的应用笔记和技术支持资源,以帮助用户更好地理解和应用这些产品。相关信息可参考官方网站上的相关链接。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册中的常见问题解答,列出以下问题及其解决方案:
    - Q: MOSFET 在高脉冲电流下的工作稳定性如何?
    - A: 在最大脉冲电流下(3.9 A),MOSFET 可以稳定工作。但需要注意并联连接以分散电流。

    - Q: MOSFET 是否适合并联使用?
    - A: 一般建议使用磁珠连接到门极或分立的“推拉”电路,以避免并联时电流分布不均。

    总结和推荐


    总的来说,IPD60R3K4CE、IPU60R3K4CE 和 IPS60R3K4CE 系列 MOSFET 是一款极具竞争力的产品,具有出色的性能和可靠性。它特别适合用于需要高电压、低损耗和良好热管理的应用场合。因此,我们强烈推荐这一系列产品给需要高效能、高可靠性的应用。

IPD60R3K4CE参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252-3
包装方式 卷带包装

IPD60R3K4CE厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD60R3K4CE数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R3K4CE IPD60R3K4CE数据手册

IPD60R3K4CE封装设计

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