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2N6792

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 20W 20V 1个N沟道 400V 1.9Ω 2A TO-205AF-3 通孔安装 8.3mm*8.3mm*4.54mm
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) 2N6792

2N6792概述

    HEXFET® IRFF320 技术手册

    1. 产品简介


    HEXFET® IRFF320 是一款由国际整流器公司生产的高可靠性功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有良好的动态特性和稳定的工作特性。它属于N通道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器和高能脉冲电路等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 测试条件 |
    |
    | 漏极连续电流ID | A 2.0 VGS=10V, TC=25°C |
    | 漏极连续电流ID | A 1.25 VGS=10V, TC=100°C |
    | 脉冲漏极电流IDM | A 10
    | 最大功耗PD | W 20 TC=25°C |
    | 温度线性降额因子 | W/°C 0.16
    | 栅源电压VGS | V | ±10 ±20
    | 单脉冲雪崩能量EAS | mJ 0.242
    | 雪崩电流IAR | A 2.2
    | 重复雪崩能量EAR | mJ 2.0
    | 峰值二极管恢复dv/dt| V/ns 4.0
    | 工作结温TJ | °C | -55 150
    | 存储温度范围TSTG | °C
    | 引脚温度 | °C 300 | 0.063 in. (1.6mm) |
    | 重量 | g 0.98 典型值 |

    3. 产品特点和优势


    - 重复雪崩额定值:具备良好的雪崩能力,能够在反复的高压瞬态情况下保持稳定运行。
    - 动态dv/dt额定值:能够处理快速变化的电压,适合高速切换的应用场合。
    - 密封性:采用气密封装设计,提高产品可靠性和耐久性。
    - 简单的驱动要求:易于并联,简化系统设计。
    - 低导通电阻:结合高效的几何结构和独特的工艺,实现低导通电阻和高跨导率。
    - 电压控制:采用电压控制方式,开关速度非常快,且温度稳定性好。

    4. 应用案例和使用建议


    HEXFET® IRFF320 广泛应用于多种电力转换和控制设备中,如开关电源、电机控制器和逆变器等。在这些应用中,它能够提供可靠的高性能开关性能。
    使用建议:
    - 在选择栅极电阻时,推荐使用7.5Ω,以确保快速的开关性能。
    - 确保工作环境温度不超过最大限制,以免因过热而损坏器件。
    - 注意引脚温度的控制,避免超过300°C。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:HEXFET® IRFF320 可与其他标准的 TO-205AF 封装的器件进行物理替换,便于升级现有设计。
    - 支持和服务:国际整流器公司提供详细的用户手册和相关技术文档,可访问官方网站获取更多技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现过热 | 检查散热系统,确保正常工作;减少负载。 |
    | 开关速度慢 | 减少栅极电阻;检查外围电路连接。 |
    | 功耗过高 | 检查负载是否正确;考虑使用更高额定值的产品。 |

    7. 总结和推荐


    HEXFET® IRFF320 作为一款高性能的功率 MOSFET,在多种应用中表现出色,特别是在需要高速开关和良好耐久性的场合。其优异的导通电阻和温度稳定性使其成为一种理想的选择。如果您正在寻找可靠的功率 MOSFET,强烈推荐您选择这款产品。

2N6792参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 2A
最大功率耗散 20W
Rds(On)-漏源导通电阻 1.9Ω
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 400V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 8.3mm*8.3mm*4.54mm
通用封装 TO-205AF-3
安装方式 通孔安装

2N6792厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

2N6792数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES 2N6792 2N6792数据手册

2N6792封装设计

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