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IQDH88N06LM5ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3W(Ta),333W(Tc) 2.3V@ 163µA 202nC@ 10 V 1个N沟道 60V 860μΩ@ 50A,10V 14nF@30V 贴片安装
供应商型号: 4295090
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IQDH88N06LM5ATMA1

IQDH88N06LM5ATMA1概述

    电子元器件产品技术手册解析

    1. 产品简介


    产品名称: IQDH88N06LM5
    产品类型: OptiMOSTM 5 功率晶体管
    主要功能: N通道逻辑电平 MOSFET,最大电压为60V
    应用领域: 广泛应用于开关电源、电机驱动、车载电子、通信系统等领域

    2. 技术参数


    以下为 IQDH88N06LM5 的关键性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 备注 |
    ||
    | 最高工作电压(击穿电压) | V(BR)DSS | V | - | 60 | - | VGS = 0V,ID = 1mA |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | mΩ | - | 0.86 | 1.24 | VGS = 10V,ID = 50A |
    | 最大漏极电流 | ID | A | - | 447 | - | VGS = 10V,TC = 25°C |
    | 输出电荷量 | Qoss | nC | - | 133 | 177 | VDS = 30V,VGS = 0V |
    | 输入电容 | Ciss | pF | - | 11000 | 14000 | VGS = 0V,VDS = 30V,f = 1MHz |
    | 阈值电压 | VGS(th) | V | 1.1 | 1.7 | 2.3 | VDS = VGS,ID = 163µA |
    此外,封装形式为 PG-TSON-8,内部具有自恢复二极管功能。

    3. 产品特点和优势


    - 非常低的导通电阻(RDS(on) ≤ 0.86 mΩ):适用于高效功率转换的应用,减少功耗。
    - 卓越的热阻性能:RthJA = 50°C/W,确保长时间稳定运行。
    - 完全符合工业标准:通过 JEDEC 认证,适合各类恶劣工作环境。
    - 无卤素设计:环保材料,满足 RoHS 标准。
    - 100% 雪崩测试:保障产品在高压环境下的可靠性能。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 开关电源中的降压变换器(如 DC/DC 转换器)。
    - 电机驱动控制电路。
    - 车载电源模块。
    使用建议:
    - 当设计开关电源时,建议使用 VGS ≥ 10V 的控制信号以充分发挥其低导通电阻的优势。
    - 若工作温度超过 100°C,需要考虑降额设计以保证可靠性。
    - 在高频开关电路中,需注意门极电荷特性对系统效率的影响。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - IQDH88N06LM5 可直接替换部分现有市场上的同规格器件,方便集成到现有设计中。
    - 与主流控制器芯片兼容,易于实现快速开发。
    支持:
    - 厂商提供全面的技术文档和应用指南,包括电气特性和热管理建议。
    - 客户可通过 Infineon Technologies 的官方网站获取相关技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    问题 1: 导通电阻随温度变化较大,影响电路效率。
    解决方法: 选择合适的工作条件并结合散热片降低结温。
    问题 2: 开关频率过高导致门极充电损耗增加。
    解决方法: 优化门极电阻值(建议范围 0.55~1.6Ω),同时考虑采用更快的门极驱动电路。
    问题 3: 高温环境下器件性能下降。
    解决方法: 确保良好的散热设计,避免超温工作。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - IQDH88N06LM5 是一款高性能、高性价比的 N 沟道 MOSFET,具备出色的导通电阻和热稳定性。
    - 在高效能电力电子应用中表现出色,特别是在工业控制和新能源领域具有显著竞争优势。
    推荐使用场景:
    - 适用于要求低功耗、高效率和良好热管理的场合,尤其推荐用于开关电源、电机驱动及汽车电子系统的设计。
    综上所述,强烈推荐将 IQDH88N06LM5 作为首选器件用于各类功率转换场景,尤其对于需要长时间可靠运行的应用。

IQDH88N06LM5ATMA1参数

参数
栅极电荷 202nC@ 10 V
最大功率耗散 3W(Ta),333W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 860μΩ@ 50A,10V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 14nF@30V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.3V@ 163µA
配置 -
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

IQDH88N06LM5ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IQDH88N06LM5ATMA1数据手册

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IQDH88N06LM5ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 20.633
10+ ¥ 17.7761
100+ ¥ 17.4587
500+ ¥ 17.1413
1000+ ¥ 17.1413
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