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IPDQ60T017S7XTMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: 4380886
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPDQ60T017S7XTMA1

IPDQ60T017S7XTMA1概述

    IPDQ60T017S7 CoolMOS™ SJ S7 Power Device

    产品简介


    IPDQ60T017S7是一款由CoolMOS™ SJ S7系列开发的600V功率器件,采用PG-HDSOP-22封装。该器件主要用于低频开关应用,具备高脉冲电流能力、无缝诊断功能及内置温度传感器,适用于各种高电流和静态开关需求的应用场景。其独特之处在于其增强型温度传感器,能够提高结温感应精度和稳健性,同时保持简单无缝的实施。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏极电流(静态):113 A
    - 漏极脉冲电流:488 A
    - 雪崩能量:375 mJ
    - 雪崩电流:4.4 A
    - MOSFET dv/dt坚固性:20 V/ns
    - 门源电压(静态):-20至20 V
    - 门源电压(动态):-30至30 V
    - 功耗:500 W
    - 存储温度范围:-55至150°C
    - 工作结温范围:-55至150°C
    - 热特性
    - 结-壳热阻:0.25 °C/W
    - 结-环境热阻:62 °C/W(安装在PCB上)
    - 结-环境热阻(SMD版本):45至55 °C/W
    - 焊接温度:260°C(回流焊接)
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压:600 V
    - 门阈值电压:3.5至4.5 V
    - 零门电压漏极电流:60 µA
    - 漏源导通电阻(最大):0.036 Ω
    - 输入电容:7370 pF
    - 输出电容:116 pF
    - 有效输出电容(能量相关):396 pF
    - 有效输出电容(时间相关):3506 pF
    - 输出电荷:1051 nC
    - 温度传感器参数
    - 传感器前向电压:1.5601至2.1266 V
    - 传感器前向电压温度系数:5.9644至5.0135 mV/K
    - 传感器反向漏电流:1至20 µA
    - 传感器电容:4.2 pF
    - 传感器温度系数电容:4.8 pF
    - 二极管反向恢复时间:490 ns
    - 二极管反向恢复电荷:11.8 µC

    产品特点和优势


    - 优化价格性能:在低频开关应用中提供最佳性价比。
    - 高温稳健性:嵌入式温度传感器提高了结温感应精度和稳健性。
    - 减少外部传感元件:简化设计并降低成本。
    - 减少传导损耗:消除或减少散热片需求。
    - 提高系统性能:更紧凑且更简单的设计,降低总体成本。
    - 高可靠性:提升系统整体可靠性和寿命。

    应用案例和使用建议


    - 固态继电器和断路器:适用于PLC和储能系统中的固态继电器和断路器。
    - 线路整流:适用于计算、电信、不间断电源(UPS)和太阳能系统中的高功率性能应用。

    使用建议:
    - 在并联4个引脚的MOSFET设备时,建议将栅极电阻放置在驱动源而非栅极端。
    - 使用时需考虑温度传感器的影响,并联系Infineon销售办公室获取技术支持。

    兼容性和支持


    - 该器件符合工业标准,已通过JEDEC认证。
    - 供应商提供全面的技术支持和售后服务。
    - 相关链接:CoolMOS™ S7T网页、应用注释、仿真模型和设计工具。

    常见问题与解决方案


    - 问题:传感器前向电压不稳定?
    - 解决方案:检查传感器前向电压温度系数是否符合要求,必要时调整工作温度。
    - 问题:功耗过高?
    - 解决方案:确保安装良好的散热机制,减少热阻,确保温度在安全范围内。
    - 问题:反向恢复电荷过大?
    - 解决方案:选择合适的电路设计以减小反向恢复电流和电荷的影响。

    总结和推荐


    IPDQ60T017S7 CoolMOS™ SJ S7 Power Device是一款高性能的功率器件,适用于多种高电流和静态开关应用。其优化的价格性能、高脉冲电流能力和内置温度传感器使其在市场上具有较高的竞争力。强烈推荐用于需要高可靠性、低传导损耗和简易设计的应用场景。

IPDQ60T017S7XTMA1参数

参数
FET类型 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
包装方式 卷带包装

IPDQ60T017S7XTMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPDQ60T017S7XTMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPDQ60T017S7XTMA1 IPDQ60T017S7XTMA1数据手册

IPDQ60T017S7XTMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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5+ ¥ 87.0216
10+ ¥ 79.7698
50+ ¥ 79.7698
100+ ¥ 78.3194
250+ ¥ 78.3194
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