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IPS70R360P7S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IPS70R360P7S
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPS70R360P7S

IPS70R360P7S概述

    IPS70R360P7S MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    IPS70R360P7S 是一款来自 Infineon Technologies 的 CoolMOS™ P7 系列高压功率 MOSFET。它基于超结(Superjunction)原理设计,是消费市场中成本敏感型应用的理想选择,如充电器、适配器、照明装置等。CoolMOS™ P7 系列结合了快速开关的 Superjunction MOSFET 的所有优势,并且拥有出色的性价比和易于使用的特性。这一技术不仅满足最高效率标准,还支持高功率密度的设计,允许客户开发非常纤薄的产品。

    技术参数


    IPS70R360P7S 具有以下关键性能参数:
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 700 V
    - 最大栅源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 最大连续漏极电流 \(ID\): 12.5 A (当 \(TC\) = 20°C),7.5 A (当 \(TC\) = 100°C)
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{D,pulse}\): 34 A (当 \(TC\) = 25°C)
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\): 最大值为 0.36 Ω (在 \(V{GS}\) = 10 V, \(ID\) = 3.0 A, \(Tj\) = 25°C 条件下)
    - 栅极电荷 \(Qg\): 16.4 nC
    - 二极管正向压降 \(V{SD}\): 0.9 V (在 \(IF\) = 3.8 A, \(Tj\) = 25°C 条件下)
    - 反向恢复时间 \(t{rr}\): 210 ns
    - 反向恢复电荷 \(Q{rr}\): 1 µC
    - 峰值反向恢复电流 \(I{rrm}\): 10 A
    - 绝缘耐受电压 \(V{ISO}\): n.a. (rms)

    产品特点和优势


    - 低损耗: 由于非常低的 FOM \(R{DS(on)} \times Qg\) 和 \(R{DS(on)} \times E{oss}\),因此损耗很低。
    - 优秀的热行为: 保证高效的散热效果。
    - 集成 ESD 保护二极管: 提升了整体鲁棒性。
    - 低开关损耗 (\(E{oss}\)): 支持更高的开关频率。
    - 成本效益: 采用先进的技术实现成本竞争力。
    - 温度降低: 在高效率应用中表现优异。
    - 高 ESD 鲁棒性: 能够承受较高的静电放电。
    - 实现效率提升: 支持高功率密度设计和紧凑封装形式。

    应用案例和使用建议


    IPS70R360P7S 推荐用于 Flyback 拓扑,例如充电器、适配器、照明应用等。在多 MOSFET 并联使用时,建议使用扼流圈 (ferrite beads) 或独立的至顶门电路 (totem poles)。此外,根据测试图(图4-图15),可以确定其适用于各种极端条件下的操作,以确保其高效稳定运行。

    兼容性和支持


    IPS70R360P7S 支持多种应用,特别是 Flyback 拓扑的设备。它与其他电源管理组件具有良好的兼容性。对于技术支持和维护,Infineon Technologies 提供相关的设计工具和网页资源(见附录A)。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免栅极振荡?
    - A: 使用合适的栅极电阻(如 30Ω)来限制上升沿速度。
    - Q: 如何处理 MOSFET 过热问题?
    - A: 使用较大的散热片或增加散热系统,确保良好的空气流动。
    - Q: 在什么条件下会导致 MOSFET 击穿?
    - A: 避免 \(V{DS}\) 和 \(ID\) 过载,特别是在高脉冲负载下,确保不超过最大额定值。

    总结和推荐


    IPS70R360P7S 是一款面向消费市场的高性能 MOSFET,以其低损耗、高效率和易于使用的特性,非常适合于充电器、适配器和照明应用。它的低成本和高功率密度使其成为众多设备的理想选择。尽管在某些条件下需要特别注意使用细节,但它仍然是一款值得推荐的产品,能够满足广泛应用的需求。

IPS70R360P7S参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-251-3

IPS70R360P7S厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPS70R360P7S数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPS70R360P7S IPS70R360P7S数据手册

IPS70R360P7S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.2816
1000+ ¥ 3.223
3000+ ¥ 3.1644
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